Infineon IRF7105QTRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF7105QTRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002625 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
Infineon IRF7105QTRPBF — сдвоенный N+P-канальный полевой транзистор типа HEXFET, рассчитанный на напряжение до 25 В. Компонент выполнен в корпусе SO-8, обеспечивающем компактность и удобство монтажа в современных электронных устройствах. Он предназначен для коммутации и управления электрическими сигналами в цепях с низкими и средними напряжениями.
Сдвоенная структура транзистора позволяет реализовать эффективные решения в инверторах, драйверах управления реле и шаговых двигателей, а также в схемах защиты и переключения режимов работы устройств. При расчёте схемы важно учитывать напряжение и ток нагрузки, а также тепловые характеристики транзистора, чтобы обеспечить надёжную работу устройства в заданных условиях.
| Корпус | SO |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.5 A |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.4986 mm |
| Входная ёмкость | 330 pF |
| Дата выпуска | 2010-08-02 |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 100 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF7105QPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8
- IRF7105PBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105TR — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR(UMW) — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SOP-8
- IRF7105TRPBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105TRPBF-1 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8, лента
- IRF7105TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный, 30 В, ток 8 А, сопротивление канала 18 мОм, ко…
- IRF7103TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8
- IRF7342TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный сдвоенный, -55 В, ток -3,4 А, сопротивление канала 0,105 Ом…
- XP232P0501TR-G — P-канальный MOSFET TOREX XP232P, напряжение 30 В, ток 0.45 А, корпус SOT-23-3, лента
- ТРАНЗИСТОР IRF640SPbF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640SPbF, N-канал