IRL640S-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRL640S-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 009355 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мОм при 10 В, корпус TO263
IRL640S-VB — это мощный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением и током. Изготовлен компанией VBsemi в корпусе TO263, рассчитан на максимальное напряжение сток-исток до 200 В и выдерживает ток до 40 А. Сопротивление открытого канала составляет 48 мОм при напряжении затвор-исток 10 В.
При подборе аналога данного компонента необходимо обратить внимание на несколько ключевых параметров: максимально допустимое напряжение сток-исток, максимальный ток стока и сопротивление открытого канала. Также важно учитывать тип корпуса и совместимость с существующей схемой монтажа. Использование аналогов с отличающимися характеристиками может привести к перегреву, снижению эффективности или выходу из строя устройства.
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRL640S — IRL640S
- IRL640SPBF — IRL640SPBF
- IRL640STRLPBF — IRL640STRLPBF
- IRL640STRLPBF-JSM — IRL640STRLPBF-JSM
- BSC050N03LSG-VB — BSC050N03LSG-VB
- BSC050N03LSGA — BSC050N03LSGA
- BSC050N03LSGATMA1 — BSC050N03LSGATMA1
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — BSC050N03LSGATMA1-HXY
- BSC050N03LSGATMA1-VB — BSC050N03LSGATMA1-VB
- BSC100N03MSGATMA1 — Infineon BSC100N03MSGATMA1
- BSC120N03MSGATMA1 — Infineon BSC120N03MSGATMA1
- BSO220N03MDGXUMA1 — Infineon BSO220N03MDGXUMA1