Infineon IRL520NSTRL — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRL520NSTRL |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 003719 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK
Infineon IRL520NSTRL — это мощный N-канальный полевой транзистор типа HEXFET, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток до 100 В. Корпус D2PAK обеспечивает хорошие тепловые характеристики и подходит для поверхностного монтажа. Этот компонент предназначен для использования в сильноточных цепях, требующих высокой эффективности и низкого сопротивления канала.
В электронных устройствах этот транзистор часто используется в импульсных источниках питания как ключевой элемент, в инверторах для управления мощностью, в схемах защиты от перегрузок и коротких замыканий, а также в схемах управления электродвигателями, обеспечивая эффективное переключение и минимизируя потери энергии.
| Корпус | TO-263-3 |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Номинальный ток | 10 A |
| Сопротивление сток-исток | 220 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Входная ёмкость | 440 pF |
| Дата выпуска | 2001-04-03 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 2 |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 35 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Номинальное напряжение (DC) | 100 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRL520NSTRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK-3
- IRL520NS — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 10 А, корпус D2PAK
- IRL520NSPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,18 Ом, ток 10 А, корпус D2PAK
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSG-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSGA — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал
- BSC050N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…
- BSC100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 41 А, мощность 30 Вт, корпус PG-TDSON-8.