Infineon IRL520NS — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRL520NS |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 003718 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Ориентировочная цена за 1000 шт
44.63 ₽
Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте
Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 10 А, корпус D2PAK
Infineon IRL520NS представляет собой мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, рассчитанный на работу с напряжением до 100 В и током до 10 А. Компонент выполнен в корпусе D2PAK, обеспечивающем хорошие показатели теплоотвода и высокую надежность в работе.
При проектировании печатной платы рекомендуется уделять особое внимание разводке дорожек питания и земли, обеспечивая минимальные длины соединений для снижения влияния индуктивности проводников. Также стоит предусмотреть достаточное расстояние между выводами затвора и силовыми выводами во избежание паразитных связей и повышения устойчивости схемы к помехам.
| Корпус | TO-263-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Номинальный ток | 10 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 220 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Входная ёмкость | 440 pF |
| Дата выпуска | 1998-06-25 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2008-03-13 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2008-09-13 |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 48 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 2 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 35 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Номинальное напряжение (DC) | 100 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRL520NSPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,18 Ом, ток 10 А, корпус D2PAK
- IRL520NSTRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK
- IRL520NSTRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK-3
- IRFL110TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,54 Ом, корпус SOT-223
- IRFL110TRPBF-BE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)
- IRFL110TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 5 А, сопротивление канала 100 мОм, корпус SOT-2…
- IRFP31N50L — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, ток 31 А, корпус TO-247AC, Vishay
- IRFP31N50LPBF — N-канальный силовой MOSFET 500 В, сопротивление открытого канала 0.18 Ом, корпус TO-247AC
- IRFR3806 — Силовой полевой транзистор Infineon IRFR3806
- IRL2203NPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, сопротивление канала 7 мОм, заряд затвора 60…
- IRL640S — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 200 В, ток 17 А, корпус D2PAK, Vishay
- IRL640S-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…