APT5010JVR — купить, цена, наличие
| Наименование: | APT5010JVR |
| Производитель: | Microchip |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007942 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, 500 В, ток 44 А, корпус SOT-227, туба.
APT5010JVR — это мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением и током. Он обладает максимальным напряжением сток-исток до 500 В и способен пропускать постоянный ток до 44 А в непрерывном режиме. Компонент выполнен в корпусе SOT-227, который обеспечивает эффективное охлаждение и подходит для поверхностного монтажа.
В промышленности такие транзисторы востребованы в источниках питания, инверторах и преобразователях напряжения. Электротранспорт, солнечные панели и системы бесперебойного питания также активно используют подобные компоненты. Требования к ним включают высокую эффективность, низкое сопротивление в открытом состоянии и устойчивость к кратковременным перегрузкам по напряжению и току.
| Планируемая дата снятия с производства | 2044-04-30 |
| Корпус | SOT-227 |
| Постоянный ток стока (ID) | 44 A |
| Страна сборки | Филиппины |
| Страна изготовления | Япония |
| Страна происхождения | Филиппины |
| Номинальный ток | 44 A |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V |
| Код ECCN | EAR99 |
| Время спада | 5 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Код ТН ВЭД | 8541.29.0055, 8541.29.0095 |
| Код ТН ВЭД (HTS) | 8541.29.0095 |
| Входная ёмкость | 8.9 nF |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Выпущен |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 450 W |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Chassis Mount, Screw |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 450 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 100 mΩ |
| Время нарастания | 16 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 54 ns |
| Время задержки включения | 14 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 500 V |
| Документ | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (4 стр.) | |
| Datasheet | Скачать (5 стр.) | |
| Datasheet | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SPD02N50C3 — N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус DPAK
- SPD02N50C3BTMA1 — N-канальный силовой транзистор Infineon SPD02N50C3 CoolMOS, 560 В, сопротивление 3 Ом, ко…
- SPD02N50C3XT — N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус TO-252
- STB100NF04 — N-канальный силовой MOSFET STB100NF04, напряжение 40 В, ток 100 А, мощность 150 Вт, сопро…
- STB100NF04-VB — N-канальный силовой MOSFET STB100NF04 VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, мощность 150 Вт…
- STB100NF04T4 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STB100NF04 StripFET II, 40 В, сопротивление…
- STD12N60DM6 — MOSFET STMicroelectronics, N-канал, 600 В, 10 А, корпус TO-252, RoHS
- STE53NC50 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STE53NC50 PowerMESH II, 500 В, сопротивлени…
- STF20N95K5 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STF20N95 MDmesh K5, 950 В, сопротивление 0.…
- STP100NF03L-03 — N-канальный силовой MOSFET StripFET II, напряжение 30 В, ток 100 А, сопротивление канала…
- STP100NF03L-03-VB — N-канальный силовой MOSFET STP100NF03L VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление…
- STP100NF04 — Транзистор MOSFET N-канальный STripFET II, 40 В, сопротивление канала 4,3 мОм, ток 120 А,…