STU5N95K3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | STU5N95K3 |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 008582 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный SuperMESH3 с защитой стабилитроном, 950 В, 4 А, сопротивление канала 3 Ом, корпус IPAK
STMicroelectronics предлагает MOSFET транзистор серии SuperMESH3 с N-каналом и корпусом типа IPAK. Он оснащён встроенной защитой стабилитроном, выдерживает напряжение до 950 В и способен пропускать ток до 4 А. Сопротивление открытого канала составляет 3 Ом, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой и минимизирует потери энергии.
При проектировании печатной платы рекомендуется уделять особое внимание трассировке силовых проводников. Использование широких дорожек и многослойных плат поможет снизить тепловые потери и обеспечить надёжное охлаждение транзистора. Также важно предусмотреть достаточное расстояние между выводами для предотвращения пробоя высокого напряжения и обеспечения безопасности конструкции.
| Корпус | TO-251 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 4 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
| Сопротивление сток-исток | 3.5 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 950 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 18 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Высота | 6.9 mm |
| Входная ёмкость | 460 pF |
| Длина | 6.6 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 90 W |
| Мин. напряжение пробоя | 950 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 90 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 3.5 Ω |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 7 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 4 V |
| Время задержки выключения | 32 ns |
| Время задержки включения | 17 ns |
| Ширина | 2.4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (23 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (17 стр.) |
Позиция есть у 18 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSS138 — N-канальный MOSFET BSS138, 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23, лента и катушка.
- BSS138 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS138, N-канал
- BSS138-7-F — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, сопротивление 3,5 Ом, корпус SOT-2…
- BSS138-TP — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23.
- BSS138DW — N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания
- BSS84 — P-канальный маломощный переключающий MOSFET, напряжение 50 В, ток 0,13 А, корпус SOT-23.
- BSS88 — MOSFET Siemens BSS88, N-канал, малый сигнал, кремний, 250 мА, 240 В, корпус TO-92
- BSS88E6296 — Транзистор MOSFET N-канальный, 240 В, ток 0,25 А, корпус TO-92
- BSZ035N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 3,5 мОм, заряд затвора 56 нКл, ко…
- BSZ050N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 4,5 мОм, заряд затвора 34 нКл, ко…
- BSZ100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 9,1 мОм, заряд затвора 17 нКл, ко…
- BSZ16DN25NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ16DN25NS3G, N-канал