STF20N95K5 — купить, цена, наличие
| Наименование: | STF20N95K5 |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 008586 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STF20N95 MDmesh K5, 950 В, сопротивление 0.275 Ом, ток 17.5 А, корпус TO-220FP
STMicroelectronics STF20N95K5 — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) серии MDmesh K5. Он рассчитан на работу с напряжением до 950 В и обеспечивает ток до 17,5 А при низком сопротивлении канала 0,275 Ом. Корпус TO-220FP обеспечивает эффективное охлаждение и подходит для монтажа на печатную плату.
Эти транзисторы используются в источниках питания, инверторах, преобразователях постоянного тока, а также в промышленных и автомобильных системах. Основные требования к таким устройствам включают устойчивость к высоким напряжениям, низкое энергопотребление в открытом состоянии и высокую скорость переключения. В автомобильной отрасли важны также устойчивость к вибрациям и расширенный температурный диапазон.
| Корпус | TO-220-3 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 15.5 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
| Сопротивление сток-исток | 330 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 950 V |
| Время спада | 20 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Входная ёмкость | 1.5 nF |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 40 W |
| Мин. напряжение пробоя | 950 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 40 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 330 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 330 MΩ |
| Время нарастания | 12 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 70 ns |
| Время задержки включения | 17 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (20 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (21 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (22 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- CS10N80FA9D — N-канальный высоковольтный MOSFET VBsemi, напряжение 850 В, ток 10 А, сопротивление канал…
- CSD16401Q5 — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD16401Q5-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 м…
- CSD16401Q5(ES) — МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5, N-канал
- CSD16401Q5T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- CSD86330Q3D — Сдвоенный N-канальный MOSFET, 20 А, 25 В, сопротивление 4,6 мОм, корпус SON.
- DMG4466SSS-13 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус S…
- DMG4496SSS-13 — N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,…
- DMN30H4D0LFDE-7 — N-канальный силовой MOSFET, 300 В, ток 550 мА, сопротивление канала 2,3 Ом, корпус U-DFN2…
- DMN6040SSD-13 — Сдвоенный N-канальный MOSFET-массив, 60 В, ток 6,6 А, корпус SOIC-8, лента.
- DMN62D0U-7 — N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 380 мА, сопротивление канала 2 Ом, корпус SOT-23.