IRLML2502GTRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLML2502GTRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011111 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 20 В, ток 4,2 А, корпус MICRO3
IRLML2502GTRPBF — это полевой транзистор типа HEXFET с каналом n-типа, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 20 В. Максимальный ток стока составляет 4,2 А. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе MICRO3, что позволяет экономить место на плате и облегчает плотную компоновку.
При проектировании печатной платы рекомендуется уделять особое внимание качеству теплового отвода от корпуса MICRO3. Для этого желательно предусмотреть достаточную площадь меди под корпусом транзистора и использовать толстые полигоны питания и заземления, соединенные с несколькими переходными отверстиями. Это поможет снизить тепловые потери и повысить общую надежность схемы.
| Корпус | TO-236-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 4.2 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Сопротивление сток-исток | 45 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 26 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 740 pF |
| Дата выпуска | 2008-07-22 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.0226 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Мин. напряжение пробоя | 20 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 45 mΩ |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 45 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 45 MΩ |
| Время нарастания | 10 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 54 ns |
| Время задержки включения | 7.5 ns |
| Ширина | 1.397 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRLML2502GTRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2502GTRPBF, JSMICRO, N-канал, лента
- IRLML2502GTRPBF-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5…
- IRLML2502G — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус SOT-23
- IRLML2502G-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5…
- IRLML2502TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 12 В, ток 4,3 А, сопротивление канала 0,05 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2402 — N-канальный MOSFET IRLML2402, напряжение 16 В, ток 1.2 А, сопротивление канала 0.25 Ом, м…
- IRLML2402TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2402TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803 — Транзистор MOSFET N-канальный, 25 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2803GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, ток 1,2 А, корпус MICRO3
- IRLML2803PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, мощность 540 мВт, диапазон -55...+150°C, корпус SOT-23
- IRLML2803TR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, корпус Micro3
- IRLML2803TRHR — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, корпус SOT-23