International Rectifier IRLML2803TR — купить, цена, наличие
| Наименование: | International Rectifier IRLML2803TR |
| Производитель: | International Rectifier |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 000362 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, корпус Micro3
IRLML2803TR – это N-канальный полевой транзистор типа HEXFET производства компании International Rectifier, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток до 30 В и предназначенный для поверхностного монтажа в корпусе Micro3. Компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для использования в импульсных источниках питания, драйверах светодиодов и других устройствах, требующих эффективного управления нагрузкой.
При подборе аналога необходимо учитывать соответствие по напряжению сток-исток, максимальный постоянный ток стока и сопротивление канала в открытом состоянии. Также стоит обратить внимание на динамические характеристики, такие как время переключения и емкость затвора. И наконец, нужно убедиться, что выбранный аналог совместим по размерам и расположению выводов с корпусом Micro3.
| Корпус | TO-236-3 |
| Постоянный ток стока (ID) | 1.2 A |
| Номинальный ток | 1.2 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 250 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 85 pF |
| Дата выпуска | 1995-07-01 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2014-01-09 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2014-07-09 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 540 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 340 mW |
| Rds(on) макс. | 250 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 4 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Номинальное напряжение (DC) | 30 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRLML2803TRHR — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, корпус SOT-23
- IRLML2803TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус MICR…
- IRLML2803TRPBF-1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 250 мОм, логический…
- IRLML2803TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 6,5 А, сопротивление канала 30 мОм, корпус SOT-2…
- IRLML2803 — Транзистор MOSFET N-канальный, 25 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2803GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, ток 1,2 А, корпус MICRO3
- IRLML2803PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, мощность 540 мВт, диапазон -55...+150°C, корпус SOT-23
- IRLML2402 — N-канальный MOSFET IRLML2402, напряжение 16 В, ток 1.2 А, сопротивление канала 0.25 Ом, м…
- IRLML2402TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2402TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2502G — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус SOT-23
- IRLML2502G-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5…
- IRLML2502GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 20 В, ток 4,2 А, корпус MICRO3