IRLML2502GTRPBF-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLML2502GTRPBF-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011112 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5 В, корпус SOT23-3
IRLML2502GTRPBF-VB — это N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), предназначенный для работы в цепях с напряжением до 20 В. Сопротивление открытого канала составляет всего 24 мОм при напряжении затвор-исток 4.5 В, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери мощности. Корпус SOT23-3 позволяет использовать транзистор в компактных конструкциях и упрощает монтаж на печатную плату.
Данный транзистор подходит для применения в импульсных источниках питания, где требуется эффективное управление мощностью и высокая скорость переключения. Он также используется в драйверах светодиодов, регуляторах напряжения и схемах защиты от перегрузки. Благодаря низкому сопротивлению канала и высокой пропускной способности, IRLML2502GTRPBF-VB отлично справляется с задачами коммутации и управления нагрузкой в малогабаритных устройствах.
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRLML2502GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 20 В, ток 4,2 А, корпус MICRO3
- IRLML2502GTRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2502GTRPBF, JSMICRO, N-канал, лента
- IRLML2502G — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус SOT-23
- IRLML2502G-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5…
- IRLML2502TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 12 В, ток 4,3 А, сопротивление канала 0,05 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2402 — N-канальный MOSFET IRLML2402, напряжение 16 В, ток 1.2 А, сопротивление канала 0.25 Ом, м…
- IRLML2402TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2402TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2803 — Транзистор MOSFET N-канальный, 25 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2803GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, ток 1,2 А, корпус MICRO3
- IRLML2803PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, мощность 540 мВт, диапазон -55...+150°C, корпус SOT-23
- IRLML2803TR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, корпус Micro3
- IRLML2803TRHR — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, корпус SOT-23