AO4629 — купить, цена, наличие
| Наименование: | AO4629 |
| Производитель: | Alpha & Omega Semiconductor |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012451 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный MOSFET N/P-канал, 30 В, ток 6/5,5 А, корпус SOIC-8.
Сдвоенный MOSFET в корпусе SOIC-8, содержащий один транзистор с каналом N-типа и один с каналом P-типа. На оба транзистора заявлено рабочее напряжение до 30 В. Ток стока составляет 6 А для N-канального и 5,5 А для P-канального транзистора. Компонент предназначен для работы в цепях постоянного тока и может использоваться в качестве ключа или усилителя сигнала.
В отраслях автомобильной электроники и бытовой техники такие сдвоенные транзисторы востребованы благодаря возможности управления нагрузкой в обоих направлениях (push-pull). Они применяются в инверторах, зарядных устройствах, системах управления освещением и других схемах, где требуется компактность и высокая эффективность. В автомобильной электронике особое внимание уделяется устойчивости к вибрациям и температурному диапазону, а в бытовой технике – энергоэффективности и компактности решения.
| Корпус | SOIC |
| Постоянный ток стока (ID) | 6 A |
| Сопротивление сток-исток | 30 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 310 pF |
| Дата выпуска | 2011-11-28 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 30 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Документ | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (9 стр.) | |
| Technical Drawing | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- MMFTP3401 — P-канальный MOSFET Diotec MMFTP3401, -30 В, ток -4 А, корпус SOT-23
- NTBLS0D8N08XTXG — N-канальный силовой MOSFET серии NTBL, ток 457 А, мощность 325 Вт, корпус HPSOF-8, SMD
- NVMYS010N04CLTWG — N-канальный MOSFET onsemi NVMYS010N04, силовой транзистор
- P100NF03L-03 — МОП-транзистор (MOSFET) JSMICRO P100NF03L, P-канал
- P100NF03L-03-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- PMV65XPEA — Малосигнальный полевой транзистор Nexperia PMV65XP
- S2N7002DW-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2500 мОм при…
- SI2301-ZE — МОП-транзистор (MOSFET) SI2301, HXY MOSFET, P-канал, корпус SOT-23
- SI2301BDS-T1-E3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301BDS, 20 В, ток 2.2 А, корпус SOT-23
- SI2301CDS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301CDS, 20 В, сопротивление 112 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23…
- SI2302-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) SI2302, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23
- SI2302CDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 0,057 Ом, корпус SOT-23