AO6800-HXY — купить, цена, наличие
| Наименование: | AO6800-HXY |
| Производитель: | HXY MOSFET |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007900 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) AO6800, HXY MOSFET, N-канал
Полевой МОП-транзистор (MOSFET) серии AO6800 производства HXY MOSFET с N-каналом предназначен для коммутации и управления электрическими сигналами. В корпусе данного изделия реализован полупроводниковый элемент с изолированным затвором, обеспечивающий эффективное управление током стока с помощью напряжения на затворе.
В схемах силовой электроники и управления он используется для реализации ключевых функций, таких как переключение нагрузки, защита цепей от перегрузок, управление индуктивными нагрузками и регулирование мощности. Благодаря высокой скорости переключения и низкому сопротивлению в открытом состоянии, данный транзистор подходит для применения в импульсных источниках питания, инверторах и преобразователях постоянного тока. При расчёте схемы важно учитывать максимально допустимые значения напряжений и токов, а также динамические характеристики устройства.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSZ035N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 3,5 мОм, заряд затвора 56 нКл, ко…
- BSZ050N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 4,5 мОм, заряд затвора 34 нКл, ко…
- BSZ100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 9,1 мОм, заряд затвора 17 нКл, ко…
- BSZ16DN25NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ16DN25NS3G, N-канал
- BSZ16DN25NS3GATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 250 В, ток 10,9 А, корпус PG-TSDSON-8.
- BSZ42DN25NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ42DN25NS3G, N-канал
- BSZ42DN25NS3GATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 250 В, ток 5 А, корпус PG-TSDSON-8.
- BSZ900N20NS3 G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3 G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 18 А, сопротивление канала 66 мО…
- BSZ900N20NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3GATMA1 — N-канальный MOSFET 200 В, 15,2 А, рассеиваемая мощность 62,5 Вт, корпус PG-TSDSON-8.
- BSZ900N20NS3GATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение сток-исток 200 В, корпус DFN8 3х3 мм