DMN30H4D0LFDE-7 — купить, цена, наличие
| Наименование: | DMN30H4D0LFDE-7 |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012570 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, 300 В, ток 550 мА, сопротивление канала 2,3 Ом, корпус U-DFN2020.
Диодес представляет N-канальный силовой MOSFET DMN30H4D0LFDE-7 в корпусе U-DFN2020. Этот транзистор рассчитан на работу при напряжении до 300 В и способен проводить ток до 550 мА. Сопротивление открытого канала составляет 2,3 Ом, что обеспечивает эффективное управление мощностью и низкое энергопотребление.
Конструкция корпуса U-DFN2020 характеризуется высокой надежностью и устойчивостью к внешним воздействиям, включая вибрацию и повышенную влажность. Компонент специально разработан для эксплуатации в широком диапазоне температур, что делает его подходящим для использования в условиях повышенной тепловой нагрузки и агрессивных сред.
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 550 mA |
| Сопротивление сток-исток | 4 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 300 V |
| Входная ёмкость | 187.3 pF |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.98 W |
| Мин. напряжение пробоя | 300 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 6 |
| Rds(on) макс. | 4 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) |
Позиция есть у 16 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- HD2305 — Транзистор MOSFET P-канальный, 12 В, ток 3,5-4,1 А, сопротивление канала 45 мОм, корпус S…
- IAUC70N08S5N074ATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, автомобильное исполнение AEC-Q101, ток 70 А, корпус PG-TDS…
- IPB60R099CPATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 650 В, ток 31 А, сопротивление канала 0,09 Ом, корпус TO-2…
- IPW60R041P6 — МОП-транзистор (MOSFET) Inchange Semiconductor IPW60R041P6, N-канал, корпус TO-247
- IPW60R041P6FKSA1 — Транзистор MOSFET N-канальный CoolMOS P6, 600 В, ток 77,5 А, корпус TO-247-3
- IRF3205S — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF3205STRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF3205STRLPBFG — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205S, N-канал, корпус TO-263, RoHS (л…
- IRF3205STRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус D2PAK
- IRF3205STRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 100 А, сопротивление канала 6 мОм, корпус TO-263