L2N7002DW1T1G-MS — купить, цена, наличие
| Наименование: | L2N7002DW1T1G-MS |
| Производитель: | MSKSemi Semiconductors |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011278 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала 1.8 Ом при 10 В, корпус SOT-363
Сдвоенный полевой транзистор 2N7002DW производства MSKSemi Semiconductors в корпусе SOT-363 предназначен для коммутации и управления электрическими сигналами. Каждый из транзисторов имеет следующие характеристики: рабочее напряжение до 60 В, ток стока до 300 мА, сопротивление открытого канала составляет 1.8 Ом при напряжении затвора 10 В. Эти параметры делают данный компонент подходящим для задач, требующих низкого сопротивления канала и компактного исполнения.
В схемах управления нагрузкой, например, светодиодными модулями или небольшими двигателями, сдвоенные транзисторы позволяют одновременно управлять двумя независимыми нагрузками, упрощая конструкцию и снижая количество компонентов. При расчёте схемы важно учитывать падение напряжения на открытом канале и мощность, выделяемую на транзисторе, чтобы обеспечить корректную работу и исключить перегрев.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- L2N7002DW1T1G — Сдвоенный N-канальный MOSFET Leshan Radio, 20 В, сопротивление 7.5 Ом, корпус SC-88
- IXFN360N10T — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корп…
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- IXFN66N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…