DMN6040SSD-13 — купить, цена, наличие
| Наименование: | DMN6040SSD-13 |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007909 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный N-канальный MOSFET-массив, 60 В, ток 6,6 А, корпус SOIC-8, лента.
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор DMN6040SSD-13 производства компании Diodes Inc. представляет собой массив MOSFET с рабочим напряжением до 60 В и максимальным током стока 6,6 А. Корпус SOIC-8 обеспечивает компактные габариты и удобство монтажа на печатную плату в виде ленты.
В процессе эксплуатации данный транзистор демонстрирует стабильные рабочие характеристики при умеренном нагреве, что позволяет использовать его в схемах с повышенными требованиями к эффективности теплоотвода. Со временем параметры транзистора могут незначительно изменяться вследствие естественного старения полупроводникового материала, однако соблюдение условий эксплуатации и рекомендаций производителя минимизирует риск деградации характеристик.
| Корпус | SO |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 5 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Сопротивление сток-исток | 40 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Время спада | 4 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.5 mm |
| Входная ёмкость | 1.287 nF |
| Дата выпуска | 2012-05-15 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.95 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.7 W |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 2 |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 1.3 W |
| Параметры | AEC-Q101 |
| Rds(on) макс. | 40 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 8.1 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 20.1 ns |
| Время задержки включения | 6.6 ns |
| Масса | 73.992255 mg |
| Ширина | 3.95 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (127 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- DMN62D0U-7 — N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 380 мА, сопротивление канала 2 Ом, корпус SOT-23.
- 2N7002DW-7-F-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DW-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6
- 2N7002DW-7-G — Сдвоенный N-канальный MOSFET (матрица) 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SOT-363
- 2N7002DW-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JSMICRO
- 2N7002DW-TP — Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363
- 2N7002DW-TP-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DWH6327XT — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD