DMN62D0U-7 — купить, цена, наличие
| Наименование: | DMN62D0U-7 |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007918 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 380 мА, сопротивление канала 2 Ом, корпус SOT-23.
Полевой МОП-транзистор DMN62D0U-7 производства компании Diodes Inc. представляет собой N-канальный силовой прибор с максимальным напряжением сток-исток 60 В и током стока до 380 мА. Сопротивление открытого канала составляет 2 Ом, что обеспечивает эффективное управление мощностью и низкое энергопотребление. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-23, что делает его подходящим для поверхностного монтажа на печатные платы.
При монтаже данного транзистора важно учитывать его миниатюрные размеры и особенности корпуса SOT-23. Для обеспечения надежного соединения рекомендуется использовать методы пайки, соответствующие стандарту J-STD-001, такие как волновой или инфракрасной пайки. При этом следует избегать перегрева компонента, чтобы предотвратить повреждение полупроводникового перехода и обеспечить длительный срок службы устройства. Кроме того, необходимо соблюдать требования к зазорам и расположению элементов на плате, учитывая минимальные расстояния между выводами.
| Корпус | TO-236-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 380 mA |
| Сопротивление сток-исток | 2 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Входная ёмкость | 32 pF |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 590 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Rds(on) макс. | 2 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- DMN6040SSD-13 — Сдвоенный N-канальный MOSFET-массив, 60 В, ток 6,6 А, корпус SOIC-8, лента.
- IRLML2803TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 6,5 А, сопротивление канала 30 мОм, корпус SOT-2…
- IRLML5103TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -30 В, ток 610 мА, сопротивление канала 600 мОм
- IRLML5203TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -30 В, ток -3 А, сопротивление канала 98 мОм, корпус MICRO3
- IRLML6302TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -20 В, ток -780 мА, корпус SOT-23
- IRLML6344TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, 5 А, сопротивление канала 29 мОм, корпус SOT-23
- IRLML6344TRPBF-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML6344, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23, лента (RoHS)
- IRLML6402 — P-канальный MOSFET Slkor IRLML6402, 20 В, сопротивление 3.5 Ом при 5 В, ток 3.7 А, корпус…
- IRLZ44N — Транзистор MOSFET N-канальный
- IRLZ44N(UMW) — МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44N, UMW, N-канал, логический уровень, корпус TO-220
- IRLZ44NL — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, ток 47 А, сопротивление канала 22 мОм, корпус TO-262
- IRLZ44NL-VB — N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, корпус TO262