Infineon IPB60R099CPATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IPB60R099CPATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004472 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 650 В, ток 31 А, сопротивление канала 0,09 Ом, корпус TO-263 (D2PAK)
Infineon IPB60R099CPATMA1 — мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET с рабочим напряжением до 650 В и максимальным током стока 31 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 0,09 Ом, что минимизирует потери на нагрев и обеспечивает высокую эффективность при переключении. Корпус TO-263 (D2PAK) удобен для поверхностного монтажа и обеспечивает эффективное охлаждение.
При подборе аналога данного транзистора необходимо обращать внимание на следующие параметры: рабочее напряжение, максимальный ток стока, сопротивление открытого канала и тип корпуса. Также важно учитывать допустимый диапазон рабочих температур и характеристики переключения, такие как время включения и выключения.
| Корпус | TO-263 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 31 A |
| Номинальный ток | 50 A |
| Сопротивление сток-исток | 99 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Дата выпуска | 2005-12-16 |
| Статус жизненного цикла | Не рекомендован для новых разработок |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 600 V |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 255 W |
| Мин. напряжение пробоя | 600 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 99 mΩ |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 255 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 5 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 60 ns |
| Время задержки включения | 10 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 25 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- FDY3000NZ-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, ток 200 мА, корпус SC75-6
- FQA32N20C — Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 200 В, ток 32 А, сопротивление канала 82 мОм, корпус…
- H2N7002DW7F — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, HXY MOSFET, корпус SOT363
- H2N7002DWS7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, HXY MOSFET, корпус SOT363, лента
- HD2305 — Транзистор MOSFET P-канальный, 12 В, ток 3,5-4,1 А, сопротивление канала 45 мОм, корпус S…
- IAUC70N08S5N074ATMA1 — Транзистор MOSFET N-канальный, автомобильное исполнение AEC-Q101, ток 70 А, корпус PG-TDS…
- IPW60R041P6 — МОП-транзистор (MOSFET) Inchange Semiconductor IPW60R041P6, N-канал, корпус TO-247
- IPW60R041P6FKSA1 — Транзистор MOSFET N-канальный CoolMOS P6, 600 В, ток 77,5 А, корпус TO-247-3
- IRF3205S — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF3205STRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…