SIHF640S-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | SIHF640S-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 009356 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мОм при 10 В, корпус TO263
Силовой N-канальный MOSFET SIHF640S-VB производства компании VBsemi предназначен для работы с высокими напряжениями и токами. Компонент выдерживает рабочее напряжение до 200 В и способен пропускать ток до 40 А при низком сопротивлении открытого канала в 48 мОм, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой при минимальных потерях энергии. Корпус TO263 упрощает монтаж и интеграцию транзистора в различные схемы.
При монтаже SIHF640S-VB важно учитывать особенности корпуса TO263, который является миниатюрной версией стандартного TO-220 и требует высокой точности расположения отверстий на печатной плате. Для обеспечения надежного теплового контакта рекомендуется использовать термопасту и обеспечивать эффективный отвод тепла, особенно при работе на высоких нагрузках. При пайке необходимо соблюдать температурные режимы, чтобы избежать перегрева кристалла и повреждения изоляции.
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SIHF640S — МОП-транзистор (MOSFET) SIHF640S, Inchange Semiconductor, N-канал
- BSZ42DN25NS3GATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 250 В, ток 5 А, корпус PG-TSDSON-8.
- BSZ900N20NS3 G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3 G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 18 А, сопротивление канала 66 мО…
- BSZ900N20NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3GATMA1 — N-канальный MOSFET 200 В, 15,2 А, рассеиваемая мощность 62,5 Вт, корпус PG-TSDSON-8.
- BSZ900N20NS3GATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение сток-исток 200 В, корпус DFN8 3х3 мм
- CJ3401 — Сдвоенный P-канальный MOSFET, напряжение 12 В, ток 4.2 А, корпус SOT-23
- CS10N60A2 — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N60A2, N-канал
- CS10N60A8HD-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 18 А, сопротивление канала 430 м…
- CS10N65FA9HD — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N65FA9HD, N-канал
- CS10N70A8 — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N70A8, N-канал