Texas Instruments CSD86330Q3D — купить, цена, наличие
| Наименование: | Texas Instruments CSD86330Q3D |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 003116 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный N-канальный MOSFET, 20 А, 25 В, сопротивление 4,6 мОм, корпус SON.
Texas Instruments CSD86330Q3D представляет собой сдвоенный N-канальный полевой транзистор MOSFET, предназначенный для управления большими токами в электронных схемах. Компонент рассчитан на максимальный ток 20 А и рабочее напряжение до 25 В. Отличительной особенностью является низкое сопротивление канала в открытом состоянии — всего 4,6 мОм, что способствует уменьшению потерь и повышению энергоэффективности. Корпус SON обеспечивает компактные размеры и улучшенные тепловые характеристики.
Конструкция транзистора обеспечивает высокую устойчивость к механическим воздействиям, таким как вибрации, и позволяет использовать его в условиях повышенной влажности и расширенном температурном диапазоне. Благодаря этим характеристикам Texas Instruments CSD86330Q3D подходит для применения в автомобильной электронике, промышленных системах управления и других ответственных приложениях, где важны надежность и стабильность работы в жестких условиях эксплуатации.
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 20 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 8 V |
| Высота | 1.6 mm |
| Входная ёмкость | 920 pF |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Длина | 3.3 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 6 W |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1.4 V |
| Число выводов | 8 |
| Упаковка | Digi-Reel® |
| Рассеиваемая мощность | 6 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 9.6 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Толщина | 1.5 mm |
| Пороговое напряжение | 1.4 V |
| Время задержки выключения | 15.8 ns |
| Время задержки включения | 5.3 ns |
| Ширина | 3.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (20 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (17 стр.) | |
| Official datasheet | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (23 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (18 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRLML2803TR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, корпус Micro3
- IRLML2803TRHR — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, корпус SOT-23
- IRLML2803TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус MICR…
- IRLML2803TRPBF-1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 250 мОм, логический…
- IRLML2803TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, ток 6,5 А, сопротивление канала 30 мОм, корпус SOT-2…
- IRLML5103TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -30 В, ток 610 мА, сопротивление канала 600 мОм
- IRLML5203TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -30 В, ток -3 А, сопротивление канала 98 мОм, корпус MICRO3
- IRLML6302TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, -20 В, ток -780 мА, корпус SOT-23
- IRLML6344TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, 5 А, сопротивление канала 29 мОм, корпус SOT-23
- IRLML6344TRPBF-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML6344, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23, лента (RoHS)
- IRLML6402 — P-канальный MOSFET Slkor IRLML6402, 20 В, сопротивление 3.5 Ом при 5 В, ток 3.7 А, корпус…
- IRLZ44N — Транзистор MOSFET N-канальный