Microchip DN2450K4-G — купить, цена, наличие
| Наименование: | Microchip DN2450K4-G |
| Производитель: | Microchip |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011908 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET, 500 В, ток 350 мА, мощность 2,5 Вт, корпус TO-252 (DPAK).
Microchip DN2450K4-G – это N-канальный полевой транзистор MOSFET, предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением до 500 В. При этом он способен пропускать постоянный ток до 350 мА и рассеивать мощность до 2,5 Вт. Корпус устройства выполнен в стандартном исполнении TO-252 (DPAK), что обеспечивает компактность и удобство монтажа.
В схемах силовой электроники данный транзистор используется преимущественно в качестве ключа или усилителя напряжения. Его ключевое свойство – возможность управления мощным выходным током малым входным сигналом. С точки зрения расчета схемы важно учитывать, что при работе с высокими напряжениями необходимо обеспечить достаточный запас по напряжению пробоя, а также правильно подобрать сопротивление и емкость в затворной цепи для надежного переключения транзистора.
| Планируемая дата снятия с производства | 2039-03-02 |
| Корпус | TO-252 |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 350 mA |
| Страна сборки | Китай |
| Страна изготовления | США |
| Страна происхождения | Китай |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Сопротивление сток-исток | 7 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V |
| Код ECCN | EAR99 |
| Время спада | 15 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 2.5146 mm |
| Код ТН ВЭД | 8541.29.0055, 8541.29.0095 |
| Код ТН ВЭД (HTS) | 8541.29.0095 |
| Входная ёмкость | 200 pF |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Выпущен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Rds(on) макс. | 10 Ω |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 20 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 15 ns |
| Время задержки включения | 15 ns |
| Масса | 3.949996 g |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (2 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (2 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- P100NF03L-03-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- PMV65XPEA — Малосигнальный полевой транзистор Nexperia PMV65XP
- S2N7002DW-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2500 мОм при…
- SI2301-ZE — МОП-транзистор (MOSFET) SI2301, HXY MOSFET, P-канал, корпус SOT-23
- SI2301BDS-T1-E3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301BDS, 20 В, ток 2.2 А, корпус SOT-23
- SI2301CDS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301CDS, 20 В, сопротивление 112 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23…
- SI2302-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) SI2302, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23
- SI2302CDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 0,057 Ом, корпус SOT-23
- SI2304DDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, сопротивление канала 0,06 Ом, корпус SOT-23-3
- SI2308 — N-канальный MOSFET Si2308, напряжение 60 В, ток 3 А, сопротивление канала 85 мОм при 10 В…
- SI2319 — P-канальный MOSFET Si2319, напряжение 40 В, ток 4.4 А, сопротивление канала 65 мОм, корпу…
- SI2333-HXY — N-канальный MOSFET Si2333, ток 7 А, сопротивление канала 28 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23