Microchip DN2450K4-G — купить, цена, наличие
| Наименование: | Microchip DN2450K4-G |
| Производитель: | Microchip |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011908 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET, 500 В, ток 350 мА, мощность 2,5 Вт, корпус TO-252 (DPAK).
Microchip DN2450K4-G – это N-канальный полевой транзистор MOSFET, предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением до 500 В. При этом он способен пропускать постоянный ток до 350 мА и рассеивать мощность до 2,5 Вт. Корпус устройства выполнен в стандартном исполнении TO-252 (DPAK), что обеспечивает компактность и удобство монтажа.
В схемах силовой электроники данный транзистор используется преимущественно в качестве ключа или усилителя напряжения. Его ключевое свойство – возможность управления мощным выходным током малым входным сигналом. С точки зрения расчета схемы важно учитывать, что при работе с высокими напряжениями необходимо обеспечить достаточный запас по напряжению пробоя, а также правильно подобрать сопротивление и емкость в затворной цепи для надежного переключения транзистора.
| Планируемая дата снятия с производства | 2039-03-02 |
| Корпус | TO-252 |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 350 mA |
| Страна сборки | Китай |
| Страна изготовления | США |
| Страна происхождения | Китай |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Сопротивление сток-исток | 7 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V |
| Код ECCN | EAR99 |
| Время спада | 15 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 2.5146 mm |
| Код ТН ВЭД | 8541.29.0055, 8541.29.0095 |
| Код ТН ВЭД (HTS) | 8541.29.0095 |
| Входная ёмкость | 200 pF |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Выпущен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Rds(on) макс. | 10 Ω |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 20 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 15 ns |
| Время задержки включения | 15 ns |
| Масса | 3.949996 g |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (2 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (2 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- 2SK3483-AZ — МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 100 В, 28 А, автомобильное исполнение, корпус TO-251
- 2SK3483-Z-AZ — МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 100 В, 28 А, корпус TO-252
- 2SK3484-S16-AY — МОП-транзистор Renesas силовой, N-канальный, 100 В, 16 А, Rds(on) 125 мОм, корпус TO-251
- 2SK3485-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 2,5 А, Rds(on) 0,11 Ом, корпус SOT-89
- 2SK3486-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 10 А, Rds(on) 33 мОм при Vgs=4 В
- 2SK3487-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 2,5 В (логический уровень)
- 2SK3491-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 4 В (логический уровень)
- 2SK3491-TL-E — N-канальный силовой MOSFET, 600 В, 1 А, сопротивление канала 8,5 Ом, корпус TO-251, вывод…
- 2SK3492-TL-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 8 А, корпус TO-FA (2 вывода + теплоотвод)
- 2SK3495-AZ — МОП-транзистор onsemi 2SK3495, одиночный N-канальный силовой транзистор
- 2SK4207 — МОП-транзистор (MOSFET) 2SK4207, N-канал
- 8205A — МОП-транзистор (MOSFET, сдвоенный) 8205A, Tech Public, N-канал