Diodes Inc. DMG4496SSS-13 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Diodes Inc. DMG4496SSS-13 |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002505 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,42 Вт, корпус SOIC-8.
Диодес DMG4496SSS-13 представляет собой N-канальный полевой транзистор типа MOSFET в корпусе SOIC-8. Он рассчитан на максимальное напряжение сток-исток до 30 В, обладает низким сопротивлением открытого канала всего 29 мОм и зарядом затвора 4,7 нКл. Мощность рассеивания составляет 1,42 Вт, что позволяет использовать данный транзистор в схемах с умеренными нагрузками.
В схемотехнике этот компонент используется для управления током нагрузки или переключения силовых цепей. Низкое сопротивление канала обеспечивает минимальные потери мощности и нагрев при работе с большими токами. При расчёте схемы важно учитывать допустимую мощность рассеивания и тепловое сопротивление корпуса, чтобы обеспечить корректную работу устройства без перегрева. Также необходимо учитывать заряд затвора при проектировании драйверов затвора для обеспечения быстрого и эффективного переключения транзистора.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 21.5 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 4.9 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 25 V |
| Высота | 1.5 mm |
| Входная ёмкость | 493.5 pF |
| Дата выпуска | 2010-02-26 |
| Длина | 4.95 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.42 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 1.42 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 21.5 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 3.64 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 19.5 ns |
| Время задержки включения | 4.76 ns |
| Масса | 73.992255 mg |
| Ширина | 3.95 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (127 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- DMG4466SSS-13 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус S…
- B100NF04 — МОП-транзистор (MOSFET) JSMICRO B100NF04, N-канал
- B100NF04-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, сопротивление канала 5 мОм…
- BIG MOSFET SLIDE SWITCH HP — Слайдовый переключатель (SPDT) Pololu, для больших MOSFET-плат, версия HP
- BIG MOSFET SLIDE SWITCH MP — Слайдовый переключатель (SPDT) Pololu, для больших MOSFET-плат, версия MP
- BSC034N10LS5ATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 100 В, ток 100 А, сопротивление 3,4 мОм, корпус TD…
- BSC034N10LS5ATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 100 В, ток 180 А, корпус DFN5X6-8L
- BSC042N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 82 А, мощность 57 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSG-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…