Analog Devices DS2782E-C3+T&R — купить, цена, наличие
| Наименование: | Analog Devices DS2782E-C3+T&R |
| Производитель: | Analog Devices |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002692 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Индикатор заряда Li-Ion/Li-Pol аккумулятора, корпус TSSOP-8, лента.
Индикатор заряда Analog Devices DS2782E-C3+T&R предназначен для контроля состояния литий-ионных и литий-полимерных аккумуляторов. Устройство выполнено в корпусе TSSOP-8 и поставляется на ленте. В основе работы компонента лежит точный мониторинг напряжения и температуры аккумулятора, что позволяет эффективно контролировать процесс зарядки и разрядки, обеспечивая безопасность и долговечность батареи.
При подборе аналога DS2782E-C3+T&R необходимо обратить внимание на совместимость с используемыми типами аккумуляторов, точность измерения напряжения и температуры, а также соответствие корпуса и способа монтажа. Кроме того, важно учитывать протоколы обмена данными и наличие необходимых функций защиты, таких как контроль температуры и обнаружение неисправностей.
| Корпус | TSSOP |
| Дата выпуска | 2000-12-21 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2018-04-24 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2018-04-24 |
| Макс. рабочая температура | 70 °C |
| Мин. рабочая температура | -20 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Рабочее напряжение питания | 4.5 V |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (28 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (4 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- CS10N70A8 — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N70A8, N-канал
- CS10N70FA9R — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N70FA9R, Wuxi, N-канал, 700 В
- CS10N80F — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N80F, JSMICRO, N-канал, 800 В
- CS10N80FA9D — N-канальный высоковольтный MOSFET VBsemi, напряжение 850 В, ток 10 А, сопротивление канал…
- CSD16401Q5 — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD16401Q5-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 м…
- CSD16401Q5(ES) — МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5, N-канал
- CSD16401Q5T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- CSD86330Q3D — Сдвоенный N-канальный MOSFET, 20 А, 25 В, сопротивление 4,6 мОм, корпус SON.
- DMG4466SSS-13 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус S…
- DMG4496SSS-13 — N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,…