AUIRF540Z — купить, цена, наличие
| Наименование: | AUIRF540Z |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012648 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET Infineon HEXFET AUIRF540Z, автомобильный (Q101), 100 В, корпус TO-220AB
Infineon HEXFET AUIRF540Z — это мощный N-канальный силовой полевой транзистор в автомобильном исполнении (Q101), рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток до 100 В. Корпус TO-220AB обеспечивает надёжное крепление и хороший теплоотвод, подходит для монтажа на радиаторах.
При монтаже рекомендуется использовать теплопроводящую пасту для улучшения теплового контакта между корпусом транзистора и радиатором. Важно обеспечить надёжный контакт земли и минимальное сопротивление соединений, чтобы избежать перегревов и сбоев в работе. Для пайки следует применять стандартные методы, соответствующие требованиям RoHS, учитывая рекомендации производителя по времени и температуре пайки.
| Корпус | TO-220AB |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 36 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 26.5 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 39 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 20.56 mm |
| Входная ёмкость | 1.77 nF |
| Дата выпуска | 2010-07-20 |
| Длина | 10.66 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2026-01-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2026-07-15 |
| Максимальная температура перехода | 175 °C |
| Максимальная рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 92 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Номинальное Vgs | 2 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 26.5 mΩ |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Rail/Tube |
| Рассеиваемая мощность | 92 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 26.5 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 51 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 2 V |
| Время задержки выключения | 43 ns |
| Время задержки включения | 15 ns |
| Ширина | 4.82 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (14 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 23 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- AUIRF540Z-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF540ZPBF — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление кан…
- AUIRF540ZPBF-JSM — МОП-транзистор (автомобильный, MOSFET) AUIRF540Z, JSMICRO, N-канал, RoHS
- AUIRF540ZPBF-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF540ZSTRL — N-канальный силовой MOSFET, 100 В, ток 36 А, автомобильное исполнение, корпус D2PAK, лент…
- AUIRF540ZXKMA1-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF7640S2TR — N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 5,8 А, автомобильное исполнение, корпус Direct-FET…
- AUIRFU8403 — Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, автомобильное исполнение AEC-Q101, корпус IPAK.
- AUIRFU8403-701TRL — Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, ток 100 А, корпус TO-251AA, лента.
- BSC050N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…