SI2333-HXY — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI2333-HXY |
| Производитель: | HXY MOSFET |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007897 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET Si2333, ток 7 А, сопротивление канала 28 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23
Полевой МОП-транзистор SI2333-HXY представляет собой N-канальный прибор в корпусе SOT-23. Он обеспечивает ток до 7 А и характеризуется низким сопротивлением канала всего 28 мОм при напряжении затвора 4.5 В. Эти параметры делают его подходящим для применения в схемах, требующих эффективного управления нагрузкой с минимальными потерями мощности.
При подборе аналога данного транзистора необходимо учитывать не только его основные электрические характеристики, такие как ток стока и сопротивление открытого канала, но и особенности корпуса SOT-23, который определяет габариты и способ монтажа. Также важно обратить внимание на пороговое напряжение затвора и допустимые значения напряжения сток-исток, чтобы обеспечить совместимость с существующей схемой и надежное функционирование устройства.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SI2301-ZE — МОП-транзистор (MOSFET) SI2301, HXY MOSFET, P-канал, корпус SOT-23
- SI2301BDS-T1-E3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301BDS, 20 В, ток 2.2 А, корпус SOT-23
- SI2301CDS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301CDS, 20 В, сопротивление 112 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23…
- SI2302-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) SI2302, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23
- SI2302CDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 0,057 Ом, корпус SOT-23
- SI2304DDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, сопротивление канала 0,06 Ом, корпус SOT-23-3
- SI2308 — N-канальный MOSFET Si2308, напряжение 60 В, ток 3 А, сопротивление канала 85 мОм при 10 В…
- SI2319 — P-канальный MOSFET Si2319, напряжение 40 В, ток 4.4 А, сопротивление канала 65 мОм, корпу…
- IRF7342TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный сдвоенный, -55 В, ток -3,4 А, сопротивление канала 0,105 Ом…
- IRF9540NPBF — Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 0,117 Ом, заряд затвора…
- IRF9640SPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,5 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF9640STRLPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,5 Ом, корпус D2PAK-3