SI2319 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI2319 |
| Производитель: | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007895 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
P-канальный MOSFET Si2319, напряжение 40 В, ток 4.4 А, сопротивление канала 65 мОм, корпус SOT-23
P-канальный MOSFET Si2319 от компании UMW предназначен для коммутации силовых цепей с напряжением до 40 В и током до 4.4 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 65 мОм, что обеспечивает минимальное падение напряжения и снижает тепловыделение. Корпус SOT-23 позволяет применять транзистор в компактных устройствах с поверхностным монтажом.
При использовании данного транзистора часто допускают распространённую ошибку – забывают о необходимости подачи напряжения смещения на затвор относительно стока. В случае P-канального MOSFET это положительное напряжение относительно общего провода, а не земли. Такой подход приводит к неполному открытию транзистора, увеличению сопротивления канала и перегреву устройства.
| Корпус | SOT-23 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SI2301-ZE — МОП-транзистор (MOSFET) SI2301, HXY MOSFET, P-канал, корпус SOT-23
- SI2301BDS-T1-E3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301BDS, 20 В, ток 2.2 А, корпус SOT-23
- SI2301CDS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301CDS, 20 В, сопротивление 112 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23…
- SI2302-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) SI2302, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23
- SI2302CDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 0,057 Ом, корпус SOT-23
- SI2304DDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, сопротивление канала 0,06 Ом, корпус SOT-23-3
- SI2308 — N-канальный MOSFET Si2308, напряжение 60 В, ток 3 А, сопротивление канала 85 мОм при 10 В…
- SI2333-HXY — N-канальный MOSFET Si2333, ток 7 А, сопротивление канала 28 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…