SI2308 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI2308 |
| Производитель: | Goodwork |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007893 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET Si2308, напряжение 60 В, ток 3 А, сопротивление канала 85 мОм при 10 В, корпус SOT-23
Si2308 — это N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), предназначенный для коммутации и управления в цепях с напряжением до 60 В. Его максимальный ток составляет 3 А, а сопротивление открытого канала — всего 85 мОм при напряжении затвор-исток 10 В, что обеспечивает низкое падение напряжения и эффективное охлаждение. Компактный корпус SOT-23 позволяет интегрировать транзистор в малогабаритные устройства.
При проектировании печатной платы рекомендуется минимизировать длину проводников, соединяющих сток и исток транзистора, чтобы снизить паразитную индуктивность. Также стоит обратить внимание на размещение развязывающих конденсаторов вблизи выводов питания и затвора транзистора для обеспечения стабильного и быстрого переключения.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SI2301-ZE — МОП-транзистор (MOSFET) SI2301, HXY MOSFET, P-канал, корпус SOT-23
- SI2301BDS-T1-E3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301BDS, 20 В, ток 2.2 А, корпус SOT-23
- SI2301CDS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301CDS, 20 В, сопротивление 112 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23…
- SI2302-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) SI2302, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23
- SI2302CDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 0,057 Ом, корпус SOT-23
- SI2304DDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, сопротивление канала 0,06 Ом, корпус SOT-23-3
- SI2319 — P-канальный MOSFET Si2319, напряжение 40 В, ток 4.4 А, сопротивление канала 65 мОм, корпу…
- SI2333-HXY — N-канальный MOSFET Si2333, ток 7 А, сопротивление канала 28 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23
- CSD86330Q3D — Сдвоенный N-канальный MOSFET, 20 А, 25 В, сопротивление 4,6 мОм, корпус SON.
- DMG4466SSS-13 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус S…
- DMG4496SSS-13 — N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,…
- DMN30H4D0LFDE-7 — N-канальный силовой MOSFET, 300 В, ток 550 мА, сопротивление канала 2,3 Ом, корпус U-DFN2…