BSS138 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSS138 |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012137 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET BSS138, 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23, лента и катушка.
BSS138 — это N-канальный полевой транзистор типа MOSFET производства компании onsemi, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 50 В и током до 0,22 А. Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT-23, что обеспечивает компактность и удобство монтажа в автоматизированных производственных линиях, поддерживающих ленту и катушку.
Применение таких транзисторов характерно для отраслей, где требуется надежное управление небольшими токами и напряжениями, например, в бытовой электронике, автомобильной промышленности и телекоммуникационном оборудовании. В этих отраслях важны малые габариты компонентов, низкий уровень шумов и устойчивость к электромагнитным помехам, что делает BSS138 популярным выбором.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 220 mA |
| Номинальный ток | 220 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Сопротивление сток-исток | 6 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V |
| Двухполярное напряжение питания | 50 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 9 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.11 mm |
| Входная ёмкость | 27 pF |
| Дата выпуска | 1994-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.92 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 360 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1.3 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 360 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 3.5 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 6 Ω |
| Время нарастания | 9 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | 1.3 V |
| Время задержки выключения | 20 ns |
| Время задержки включения | 2.5 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 50 V |
| Масса | 30 mg |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Позиция есть у 37 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSS138 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS138, N-канал
- BSS138-7-F — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, сопротивление 3,5 Ом, корпус SOT-2…
- BSS138-TP — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23.
- BSS138DW — N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания
- BSS123 — N-канальный маломощный MOSFET, напряжение 100 В, ток 0,17 А, корпус SOT-23.
- IRF540NSTRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NS, JSMICRO, N-канал, лента, RoHS
- IRF540NSTRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм, корпус TO-263
- IRF540NSTRRPB — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRRPB, N-канал
- IRF540NSTRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 33 А, сопротивление канала 44 мОм, корпус D2PAK
- IRF540NSTRRPBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, одноканальный, корпус TO263
- IRF540PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,077 Ом, фланцевый монтаж, ко…
- IRF540PBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540, JSMICRO, N-канал, RoHS