BSS138-7-F — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSS138-7-F |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007870 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, сопротивление 3,5 Ом, корпус SOT-23-3.
Диодс БСС138-7-Ф представляет собой N-канальный полевой транзистор типа MOSFET режима обогащения. Он предназначен для работы с напряжением до 50 В и обладает низким сопротивлением канала в открытом состоянии, равным всего 3,5 Ом. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-23-3, что позволяет эффективно использовать его в ограниченном пространстве печатной платы.
Данный транзистор часто используется в схемах управления нагрузкой, защиты цепей и коммутации сигналов. Низкое сопротивление канала обеспечивает минимальные потери мощности при прохождении тока через открытый транзистор, что особенно важно в устройствах с высокими токами нагрузки. С точки зрения расчета схемы, необходимо учитывать допустимое напряжение сток-исток, пороговое напряжение затвора и максимально допустимый ток стока, чтобы обеспечить надежную работу устройства.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 200 mA |
| Ток | 2 A |
| Номинальный ток | 200 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Сопротивление сток-исток | 3.5 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 25 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.15 mm |
| Входная ёмкость | 50 pF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 50 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1.2 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Rds(on) макс. | 3.5 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 3.5 Ω |
| Время нарастания | 10 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Пороговое напряжение | 1.2 V |
| Время задержки выключения | 20 ns |
| Время задержки включения | 20 ns |
| Напряжение | 50 V |
| Номинальное напряжение (DC) | 50 V |
| Масса | 7.994566 mg |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSS138 — N-канальный MOSFET BSS138, 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23, лента и катушка.
- BSS138 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS138, N-канал
- BSS138-TP — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23.
- BSS138DW — N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания
- BSS123 — N-канальный маломощный MOSFET, напряжение 100 В, ток 0,17 А, корпус SOT-23.
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…