BSS138DW — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSS138DW |
| Производитель: | Goodwork |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007917 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания
BSS138DW — это N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для коммутации сигналов и питания производства компании Goodwork. Компонент обладает характеристиками, обеспечивающими эффективную работу в электронных схемах, однако конкретные параметры (напряжение, ток, сопротивление, корпус) производителем не указаны.
При подборе аналога данного MOSFET необходимо учитывать такие параметры, как максимальное рабочее напряжение, ток стока, сопротивление канала в открытом состоянии и тип корпуса. Также важно убедиться в совместимости электрических характеристик с требованиями конкретной схемы и условий эксплуатации.
| FET Type | N-канальный |
| Технология | МОПФЕТ (металоксидный) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30.6 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 280mW |
| Диапазон рабочих температур | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус устройства поставщика | SOT-363 |
| Корпус/Упаковка | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Позиция есть у 4 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSS138 — N-канальный MOSFET BSS138, 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23, лента и катушка.
- BSS138 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS138, N-канал
- BSS138-7-F — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, сопротивление 3,5 Ом, корпус SOT-2…
- BSS138-TP — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23.
- BSS123 — N-канальный маломощный MOSFET, напряжение 100 В, ток 0,17 А, корпус SOT-23.
- BSZ900N20NS3GATMA1 — N-канальный MOSFET 200 В, 15,2 А, рассеиваемая мощность 62,5 Вт, корпус PG-TSDSON-8.
- BSZ900N20NS3GATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение сток-исток 200 В, корпус DFN8 3х3 мм
- CJ3401 — Сдвоенный P-канальный MOSFET, напряжение 12 В, ток 4.2 А, корпус SOT-23
- CS10N60A2 — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N60A2, N-канал
- CS10N60A8HD-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 18 А, сопротивление канала 430 м…
- CS10N65FA9HD — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N65FA9HD, N-канал
- CS10N70A8 — МОП-транзистор (MOSFET) CS10N70A8, N-канал