BSS138 транзистор — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSS138 транзистор |
| Производитель: | |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 013408 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) BSS138, N-канал
BSS138 представляет собой полевой МОП-транзистор с N-каналом. Компонент предназначен для использования в схемах, требующих эффективного управления электрическим током через полупроводниковый канал.
Данный тип транзисторов востребован в телекоммуникационной технике, автомобильной электронике и бытовой технике. В телекоммуникациях от таких транзисторов требуется высокая скорость переключения и низкое энергопотребление. В автомобильной электронике важным аспектом является устойчивость к вибрациям и температурным перепадам, а также надежность в условиях повышенного электромагнитного фона. Бытовая техника предъявляет требования к компактности и экономичности компонентов.
| Тип МОП-транзистора | N-канальный |
| Технология | МОПФЕТ (металоксидный) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V |
| Ток непрерывного стока (Id) при 25°C | 220mA (Ta) |
| Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (макс.) при Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1.6V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 2.4 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 27 pF @ 25 V |
| Мощность рассеивания (макс.) | 350mW (Ta) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус устройства поставщика | SOT-23-3 |
| Корпус/Упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSS138 — N-канальный MOSFET BSS138, 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23, лента и катушка.
- BSS138-7-F — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, сопротивление 3,5 Ом, корпус SOT-2…
- BSS138-TP — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23.
- BSS138DW — N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания
- BSS123 — N-канальный маломощный MOSFET, напряжение 100 В, ток 0,17 А, корпус SOT-23.
- CSD16401Q5T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- CSD86330Q3D — Сдвоенный N-канальный MOSFET, 20 А, 25 В, сопротивление 4,6 мОм, корпус SON.
- DMG4466SSS-13 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус S…
- DMG4496SSS-13 — N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,…
- DMN30H4D0LFDE-7 — N-канальный силовой MOSFET, 300 В, ток 550 мА, сопротивление канала 2,3 Ом, корпус U-DFN2…
- DMN6040SSD-13 — Сдвоенный N-канальный MOSFET-массив, 60 В, ток 6,6 А, корпус SOIC-8, лента.