SI2302CDS-T1-GE3 — купить, цена, наличие

MPN SI2302CDS-T1-GE3 · Vishay
Наименование:SI2302CDS-T1-GE3
Производитель:Vishay
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:012224
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 12.54 ₽ Ориентир, на 27.08.2026. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 0,057 Ом, корпус SOT-23

Полевой транзистор MOSFET типа SI2302CDS-T1-GE3 производства компании Vishay выполнен в корпусе SOT-23. Он относится к N-канальным устройствам с рабочим напряжением до 20 В и низким сопротивлением открытого канала всего 0,057 Ом. Данный транзистор предназначен для работы в электронных схемах, требующих эффективного управления током и минимальных потерь на переключение.

В процессе эксплуатации транзистор демонстрирует умеренный нагрев благодаря низкому сопротивлению канала, что позволяет снизить тепловыделение и упростить тепловое проектирование. Однако при длительной работе и повышенных температурах возможны незначительные изменения параметров, такие как увеличение сопротивления канала и снижение быстродействия. Для обеспечения стабильной работы рекомендуется соблюдать условия эксплуатации, указанные производителем, включая допустимый температурный диапазон и максимальные токи нагрузки.

КорпусSOT-23-3
China RoHSСоответствует
Постоянный ток стока (ID)2.6 A
Напряжение пробоя сток-исток20 V
Сопротивление сток-исток57 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)20 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада7 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)8 V
Высота1.12 mm
Дата выпуска2008-07-29
Без свинцаБез свинца
Длина3.04 mm
Статус жизненного циклаНе рекомендован для новых разработок
Максимальная температура перехода150 °C
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность860 mW
Мин. напряжение пробоя20 V
Минимальная рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Количество каналов1
Число элементов1
Число выводов3
Число выводов3
УпаковкаОтрезок ленты
Рассеиваемая мощность710 mW
Радиационное упрочнениеНет
Rds(on) макс.57 mΩ
REACH SVHCДа
Сопротивление57 mΩ
Время нарастания7 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080
Пороговое напряжение850 mV
Время задержки выключения30 ns
Время задержки включения8 ns
Масса1.437803 g
Ширина1.4 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Rohs StatementСкачать (5 стр.)
NewarkFuture ElectronicsCoreStaffVericalArrow ElectronicsTMETTIConradDigiKeyAvnetTTI AsiaTTI EuropeMouserNetSource TechnologyEsaler ElectronicUnikeyICAAA CHIPSZTZ Technology LimitedRC ElectronicsAnsinorAxis Part LimitedLixincQuestNAC SemiClassic ComponentsIC Components Ltd.Jak ElectronicsComSIT Distribution GmbHAbacus TechnologiesRapid ElectronicsAugswanUnikeyic (ICkey)

Позиция есть у 32 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»