SI2304DDS-T1-GE3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI2304DDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007902 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, сопротивление канала 0,06 Ом, корпус SOT-23-3
Полевой транзистор MOSFET серии SI2304DDS-T1-GE3 производства компании Vishay обладает N-каналом, рассчитан на напряжение до 30 В и характеризуется низким сопротивлением открытого канала — всего 0,06 Ом. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-23-3, что позволяет эффективно использовать его в современных электронных устройствах, требующих высокой плотности монтажа и низкого тепловыделения.
Применение подобных компонентов характерно для автомобильной электроники, где важны устойчивость к вибрациям и широкий диапазон рабочих температур, а также для бытовой техники, где требуется высокая энергоэффективность и надежность в условиях повышенной влажности и пыли. В телекоммуникационном оборудовании эти транзисторы используются благодаря низкому сопротивлению канала, что снижает потери энергии и улучшает общую эффективность системы.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.3 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Сопротивление сток-исток | 60 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 22 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 35 pF |
| Дата выпуска | 2009-09-25 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.7 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -50 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 2.2 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 1.1 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 850 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 60 mΩ |
| Время нарастания | 50 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 2.2 V |
| Время задержки выключения | 12 ns |
| Время задержки включения | 12 ns |
| Масса | 1.437803 g |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Позиция есть у 27 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SI2301-ZE — МОП-транзистор (MOSFET) SI2301, HXY MOSFET, P-канал, корпус SOT-23
- SI2301BDS-T1-E3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301BDS, 20 В, ток 2.2 А, корпус SOT-23
- SI2301CDS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301CDS, 20 В, сопротивление 112 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23…
- SI2302-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) SI2302, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23
- SI2302CDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 0,057 Ом, корпус SOT-23
- SI2308 — N-канальный MOSFET Si2308, напряжение 60 В, ток 3 А, сопротивление канала 85 мОм при 10 В…
- SI2319 — P-канальный MOSFET Si2319, напряжение 40 В, ток 4.4 А, сопротивление канала 65 мОм, корпу…
- SI2333-HXY — N-канальный MOSFET Si2333, ток 7 А, сопротивление канала 28 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23
- SI3458DV-T1 — N-канальный MOSFET Vishay SI3458DV, 60 В (сток-исток)
- SI3458DV-T1-E3 — N-канальный MOSFET Vishay SI3458DV, 60 В, ток 3.2 А, корпус TSOP-6
- SI3458DV-T1-GE3 — N-канальный MOSFET Vishay SI3458DV, 60 В (сток-исток)
- SI7145DP-T1-GE3 — P-канальный силовой MOSFET Vishay SI7145DP, одиночный, 30 В, сопротивление 2.6 мОм, корпу…