SI2301CDS-T1-GE3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI2301CDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012221 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
P-канальный MOSFET Vishay SI2301CDS, 20 В, сопротивление 112 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23, безгалогенный
Vishay SI2301CDS-T1-GE3 — это p-канальный полевой транзистор типа MOSFET с максимальным напряжением сток-исток 20 В и сопротивлением канала 112 мОм при напряжении затвора 4.5 В. Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT-23, что обеспечивает компактность и удобство монтажа. Изготовлен по безгалогенной технологии, соответствующей современным экологическим стандартам.
SI2301CDS используется в импульсных источниках питания для управления силовыми ключами, в схемах защиты от перегрузки и короткого замыкания, а также в схемах управления зарядными устройствами и светодиодными драйверами. Его низкое сопротивление канала и высокая скорость переключения делают его подходящим выбором для приложений, требующих эффективного управления мощностью и минимальных потерь.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.1 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20 V |
| Сопротивление сток-исток | 112 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -20 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 35 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 8 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 405 pF |
| Дата выпуска | 2008-07-29 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.04 mm |
| Статус жизненного цикла | Не рекомендован для новых разработок |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.6 W |
| Мин. напряжение пробоя | 20 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -400 mV |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 1.6 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 112 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 112 mΩ |
| Время нарастания | 35 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080, 8541210080|8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080 |
| Пороговое напряжение | -1 V |
| Время задержки выключения | 30 ns |
| Время задержки включения | 11 ns |
| Масса | 1.437803 g |
| Ширина | 1.4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SI2301-ZE — SI2301-ZE
- SI2301BDS-T1-E3 — SI2301BDS-T1-E3
- SI2302-HXY — SI2302-HXY
- SI2302CDS-T1-GE3 — SI2302CDS-T1-GE3
- SI2304DDS-T1-GE3 — SI2304DDS-T1-GE3
- SI2308 — SI2308
- SI2319 — SI2319
- SI2333-HXY — SI2333-HXY
- IRLML2803GTRPBF — Infineon IRLML2803GTRPBF
- IRLML2803PBF — International Rectifier IRLML2803PBF
- IRLML2803TR — International Rectifier IRLML2803TR
- IRLML2803TRHR — International Rectifier IRLML2803TRHR