Infineon BSZ035N03MSGATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSZ035N03MSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004875 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 3,5 мОм, заряд затвора 56 нКл, корпус TSDSON-8.
Infineon BSZ035N03MSGATMA1 — это N-канальный силовой полевой транзистор семейства OptiMOS, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 30 В. Он обладает низким сопротивлением канала в открытом состоянии — всего 3,5 мОм, что обеспечивает минимальные потери мощности при высоких токах. Заряд затвора составляет 56 нКл, что влияет на скорость переключения и энергопотребление устройства. Компонент выполнен в компактном корпусе TSDSON-8, удобном для поверхностного монтажа.
В схемах питания и управления силовыми нагрузками данный транзистор выполняет функцию ключа или регулятора тока. Низкое сопротивление канала позволяет минимизировать падение напряжения и тепловыделение при больших токах нагрузки, а также повысить эффективность системы. С учётом низкого заряда затвора, транзистор подходит для приложений, требующих быстрого переключения с минимальными динамическими потерями. При расчёте схемы важно учитывать допустимое напряжение сток-исток, сопротивление открытого канала и допустимый ток стока.
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 18 A |
| Сопротивление сток-исток | 4.3 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Время спада | 4.8 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 4.3 nF |
| Дата выпуска | 2007-10-30 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 69 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 3.5 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 69 W |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 5.8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 2 V |
| Время задержки выключения | 38 ns |
| Время задержки включения | 10 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSZ050N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 4,5 мОм, заряд затвора 34 нКл, ко…
- 2N7002DW-TP — Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363
- 2N7002DW-TP-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DWH6327XT — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD
- 2N7002DWH6327XTSA1 — Сборка МОП-транзисторов Infineon, N-канальные, 60 В, 0,3 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWK-7 — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 261 мА, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-13-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-7-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363