Infineon BSZ100N03MSGATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSZ100N03MSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004877 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 9,1 мОм, заряд затвора 17 нКл, корпус TSDSON-8.
Infineon BSZ100N03MSGATMA1 — это N-канальный силовой полевой транзистор типа OptiMOS, рассчитанный на рабочее напряжение до 30 В. Его отличают низкое сопротивление канала в открытом состоянии — всего 9,1 мОм и относительно небольшой заряд затвора 17 нКл, что способствует эффективной работе в цепях с высокими частотами переключения. Компонент выполнен в компактном корпусе TSDSON-8, подходящем для поверхностного монтажа.
BSZ100N03MSGATMA1 используется в автомобильной промышленности, где требуется высокая надежность и устойчивость к вибрациям, а также в бытовой технике, источниках питания и системах управления электродвигателями. В этих отраслях предъявляются высокие требования к эффективности преобразования энергии, малому тепловыделению и устойчивости к кратковременным перегрузкам и броскам напряжения.
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Сопротивление сток-исток | 11.4 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 1.3 nF |
| Дата выпуска | 2007-10-30 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 30 V |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 30 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 9.1 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 30 W |
| Rds(on) макс. | 9.1 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 2.8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 2 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSZ16DN25NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ16DN25NS3G, N-канал
- BSZ16DN25NS3GATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 250 В, ток 10,9 А, корпус PG-TSDSON-8.
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DWH6327XT — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD
- 2N7002DWH6327XTSA1 — Сборка МОП-транзисторов Infineon, N-канальные, 60 В, 0,3 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWK-7 — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 261 мА, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-13-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-7-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…