BSZ16DN25NS3GATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011416 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, напряжение 250 В, ток 10,9 А, корпус PG-TSDSON-8.
BSZ16DN25NS3GATMA1 — это мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для работы в цепях с высокими напряжениями до 250 В и токами до 10,9 А. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе PG-TSDSON-8, что позволяет эффективно использовать его в современных компактных устройствах.
При монтаже данного транзистора важно учитывать особенности его корпуса. Точность позиционирования и качество пайки имеют решающее значение, так как небольшой размер выводов может усложнить процесс монтажа. Рекомендуется использовать автоматизированные системы пайки с точно настроенными параметрами, чтобы избежать перегрева и повреждения полупроводникового кристалла. Также стоит уделить внимание правильному расположению теплоотводящих элементов, обеспечивающих эффективное охлаждение устройства во время работы.
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 10.9 A |
| Сопротивление сток-исток | 165 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 690 pF |
| Дата выпуска | 2010-09-15 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 250 V |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 62.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 250 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 165 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 62.5 W |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 4 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 11 ns |
| Время задержки включения | 6 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSZ16DN25NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ16DN25NS3G, N-канал
- BSZ100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 9,1 мОм, заряд затвора 17 нКл, ко…
- BSO220N03MDGXUMA1 — Сдвоенный N-канальный MOSFET в одном корпусе, 30 В, ток 7,7 А, корпус DSO-8, лента.
- BSP149L6327 — N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, автомобильное исполнение, корпус SOT-22…
- BSP149L6327HTSA1 — N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, корпус SOT-223, лента.
- BSP149L6327XT — N-канальный MOSFET Infineon BSP149L, 200 В, ток 0.66 А, корпус SOT-223
- BSS123 — N-канальный маломощный MOSFET, напряжение 100 В, ток 0,17 А, корпус SOT-23.
- BSS138 — N-канальный MOSFET BSS138, 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23, лента и катушка.
- BSS138 транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) BSS138, N-канал
- BSS138-7-F — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, сопротивление 3,5 Ом, корпус SOT-2…
- BSS138-TP — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23.
- BSS138DW — N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания