IRF640STRLPBF-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF640STRLPBF-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 009357 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мОм при 10 В, корпус TO263
IRF640STRLPBF-VB — это мощный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), предназначенный для управления большими токами и напряжениями. Изготовлен компанией VBsemi в корпусе TO263, рассчитан на максимальное напряжение сток-исток до 200 В и максимальный ток до 40 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 48 мОм при напряжении затвор-исток 10 В.
При эксплуатации данного транзистора стоит учитывать его тепловые характеристики. Высокая плотность тока и низкое сопротивление канала приводят к заметному выделению тепла при работе, поэтому рекомендуется использовать радиатор или другие методы отвода тепла. Деградация параметров со временем минимальна при соблюдении условий эксплуатации, однако долговременное воздействие высоких температур может привести к постепенному увеличению сопротивления канала и снижению надёжности устройства.
| Сопротивление сток-исток | 48 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF6201PBF — Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, л…
- IRF6201TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- NTBLS0D8N08XTXG — N-канальный силовой MOSFET серии NTBL, ток 457 А, мощность 325 Вт, корпус HPSOF-8, SMD
- NVMYS010N04CLTWG — N-канальный MOSFET onsemi NVMYS010N04, силовой транзистор
- P100NF03L-03 — МОП-транзистор (MOSFET) JSMICRO P100NF03L, P-канал