Infineon IRF6201PBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF6201PBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 003027 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, логическое управление 2,5 В, корпус SO-8
Infineon IRF6201PBF — это мощный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 20 В. Сопротивление открытого канала составляет всего 2,5 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери энергии при токе до 27 А. Логическое управление транзистором осуществляется при напряжении затвора всего 2,5 В, что упрощает интеграцию в современные схемы. Заряд затвора 130 нКл позволяет обеспечить быстрое переключение и высокую эффективность работы в импульсных режимах. Корпус SO-8 удобен для поверхностного монтажа и обеспечивает надежное охлаждение.
IRF6201PBF находит применение в автомобильной промышленности, где важны устойчивость к вибрациям и широкий диапазон рабочих температур, а также в источниках питания и инверторах, где требуется высокая эффективность преобразования энергии и низкое тепловыделение. В промышленных драйверах электродвигателей и системах управления электроприводами ценятся его способность выдерживать пиковые нагрузки и высокая скорость переключения.
| Корпус | SO |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 27 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Сопротивление сток-исток | 2.45 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V |
| Время спада | 265 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 8.555 nF |
| Дата выпуска | 2010-04-28 |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2016-11-16 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2017-05-16 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 20 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 2.45 mΩ |
| Количество в упаковке | 3800 |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 2.45 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время восстановления | 120 ns |
| Время нарастания | 100 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 1.1 V |
| Время задержки выключения | 320 ns |
| Время задержки включения | 29 ns |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF6201TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- BSS138-7-F — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, сопротивление 3,5 Ом, корпус SOT-2…
- BSS138-TP — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23.
- BSS138DW — N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания