Infineon IRF6646TRPBF — купить, цена, наличие

MPN IRF6646TRPBF · Infineon
Наименование:Infineon IRF6646TRPBF
Производитель:Infineon
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:004149
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 142.46 ₽ Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 50 нКл, корпус DirectFET

Infineon IRF6646TRPBF — мощный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) N-типа семейства HEXFET, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 80 В. Сопротивление открытого канала составляет всего 9,5 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери на нагрев. Заряд затвора 50 нКл позволяет транзистору быстро переключаться, уменьшая динамические потери. Корпус DirectFET обеспечивает эффективный теплоотвод и компактные габариты.

Данный транзистор используется в импульсных источниках питания, инверторах напряжения, преобразователях постоянного тока и системах управления электродвигателями. В этих устройствах он выполняет функции силового ключа, обеспечивая передачу больших токов с минимальными потерями энергии и высокой эффективностью преобразования.

China RoHSСоответствует
Постоянный ток стока (ID)12 A
Номинальный ток12 A
Напряжение пробоя сток-исток80 V
Сопротивление сток-исток9.5 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)80 V
Время спада12 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота700 µm
Входная ёмкость2.06 nF
Дата выпуска2005-05-03
Без свинцаБез свинца
Длина6.35 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Дата последней закупки (LTB)2012-06-01
Дата последней поставки (LTD)2012-09-01
Максимальная температура перехода150 °C
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность89 W
Идентификатор корпуса производителяMG-WDSON-5
Мин. напряжение пробоя80 V
Мин. рабочая температура-40 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Количество каналов1
Число элементов1
Число выводов5
Число выводов2
Сопротивление в открытом состоянии9.5 mΩ
Количество в упаковке4800
УпаковкаЛента на катушке
Рассеиваемая мощность2.8 W
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.9.5 mΩ
REACH SVHCДа
Время нарастания20 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Пороговое напряжение4.9 V
Время задержки выключения31 ns
Время задержки включения17 ns
Номинальное напряжение (DC)80 V
Ширина5.05 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (11 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Conflict Mineral StatementСкачать
Reach StatementСкачать (6 стр.)
Rohs StatementСкачать (1 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»