IRF640SPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF640SPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 009315 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
IRF640SPBF — мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для коммутации и управления в цепях постоянного тока с высокими напряжениями до 200 В. Низкое сопротивление открытого канала (0,18 Ом) обеспечивает минимальное падение напряжения и низкий уровень потерь на нагревание. Корпус D2PAK обеспечивает эффективное охлаждение и возможность применения в мощных электронных устройствах.
При подборе аналога важно учитывать не только максимальное рабочее напряжение и сопротивление канала, но и допустимый ток стока, который в документации не указан. Также необходимо обратить внимание на тип корпуса и возможность обеспечения эффективного теплоотвода, особенно при работе транзистора в режиме высоких нагрузок.
| Корпус | DPAK |
| Постоянный ток стока (ID) | 18 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Сопротивление сток-исток | 180 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 36 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 5.08 mm |
| Входная ёмкость | 1.3 nF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.67 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 130 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 4 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 180 mΩ |
| Время нарастания | 51 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 4 V |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Время задержки включения | 14 ns |
| Масса | 1.437803 g |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Позиция есть у 22 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF6201PBF — Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, л…
- IRF6201TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- BSS84 — P-канальный маломощный переключающий MOSFET, напряжение 50 В, ток 0,13 А, корпус SOT-23.
- BSS88 — MOSFET Siemens BSS88, N-канал, малый сигнал, кремний, 250 мА, 240 В, корпус TO-92
- BSS88E6296 — Транзистор MOSFET N-канальный, 240 В, ток 0,25 А, корпус TO-92