Infineon IRF6646TR1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF6646TR1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004151 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
Infineon IRF6646TR1 представляет собой N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, рассчитанный на напряжение до 80 В и ток до 12 А. Компонент выполнен в корпусе DirectFET с семью выводами, обеспечивающим компактность и высокую эффективность теплоотвода.
Данный транзистор выгодно отличается от традиционных корпусов TO-220 или D2PAK улучшенной теплопроводностью и сниженным сопротивлением сток-исток. DirectFET позволяет снизить тепловое сопротивление между кристаллом и платой, что особенно полезно в мощных импульсных источниках питания, инверторах и преобразователях постоянного тока. Выбор этого транзистора будет оправдан там, где требуется компактность, высокая мощность и эффективное охлаждение.
| Постоянный ток стока (ID) | 12 A |
| Номинальный ток | 12 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Сопротивление сток-исток | 9.5 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V |
| Двухполярное напряжение питания | 80 V |
| Время спада | 12 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 2.06 nF |
| Дата выпуска | 2005-05-03 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2012-08-25 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2013-02-25 |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 89 W |
| Мин. напряжение пробоя | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 4.9 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 7 |
| Число выводов | 2 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 2.8 W |
| Rds(on) макс. | 9.5 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время обратного восстановления | 36 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Время задержки выключения | 31 ns |
| Время задержки включения | 17 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 80 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 4 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- IRF6201PBF — Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, л…
- IRF6201TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- 2SK3435-AZ — МОП-транзистор Renesas силовой, N-канальный, 60 В, 80 А, Rds(on) 14 мОм, автомобильное ис…
- 2SK3446TZ-E — МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 150 В, 1 А, корпус TO-92
- 2SK3447TZ-E — МОП-транзистор Renesas, N-канальный, 150 В, 1 А, корпус SC-51