BSZ900N20NS3GATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSZ900N20NS3GATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011711 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET 200 В, 15,2 А, рассеиваемая мощность 62,5 Вт, корпус PG-TSDSON-8.
Infineon BSZ900N20NS3GATMA1 — мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET с рабочим напряжением до 200 В и максимальным током стока 15,2 А. Разъёмный корпус PG-TSDSON-8 обеспечивает компактные габариты и хорошую теплоотдачу, позволяя транзистору рассеивать до 62,5 Вт мощности. Компонент предназначен для работы в цепях с высокими напряжениями и токами.
При проектировании печатной платы рекомендуется уделить особое внимание правильной трассировке силовых линий. Минимальная длина проводников от выводов стока и истока до точек подключения поможет снизить паразитные индуктивности и потери мощности. Также следует обеспечить эффективный теплоотвод, разместив транзистор на медной площадке достаточного размера или используя дополнительный радиатор.
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 15.2 A |
| Сопротивление сток-исток | 90 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Время спада | 3 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 690 pF |
| Дата выпуска | 2010-09-15 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 200 V |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 62.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 90 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 62.5 W |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 4 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 10 ns |
| Время задержки включения | 5 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 31 поставщика на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSZ900N20NS3GATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение сток-исток 200 В, корпус DFN8 3х3 мм
- BSZ900N20NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3 G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3 G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 18 А, сопротивление канала 66 мО…
- BSS138-TP — N-канальный MOSFET режима обогащения, напряжение 50 В, ток 0,22 А, корпус SOT-23.
- BSS138DW — N-канальный MOSFET BSS138DW для коммутации сигналов и питания
- BSS84 — P-канальный маломощный переключающий MOSFET, напряжение 50 В, ток 0,13 А, корпус SOT-23.
- BSS88 — MOSFET Siemens BSS88, N-канал, малый сигнал, кремний, 250 мА, 240 В, корпус TO-92
- BSS88E6296 — Транзистор MOSFET N-канальный, 240 В, ток 0,25 А, корпус TO-92
- BSZ035N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 3,5 мОм, заряд затвора 56 нКл, ко…
- BSZ050N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 4,5 мОм, заряд затвора 34 нКл, ко…
- BSZ100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 9,1 мОм, заряд затвора 17 нКл, ко…