BSZ900N20NS3 G-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSZ900N20NS3 G-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011713 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 18 А, сопротивление канала 66 мОм при 10 В, корпус DFN8 3х3 мм
Это N-канальный силовой полевой транзистор MOSFET производства компании VBsemi. Он предназначен для работы в цепях с напряжением до 200 В и способен пропускать ток до 18 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 66 миллиом при напряжении затвора 10 В, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери на нагрев. Корпус DFN8 размером 3x3 мм позволяет эффективно отводить тепло и удобен для поверхностного монтажа.
При использовании данного транзистора распространенной ошибкой является недооценка влияния температуры на характеристики прибора. При повышении температуры окружающей среды и увеличении тока через транзистор возрастает сопротивление канала, что приводит к дополнительному нагреву. В результате может произойти перегрев и выход из строя полупроводникового прибора, особенно если не обеспечена достаточная площадь радиатора или вентиляция.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Позиция есть у 2 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSZ900N20NS3 G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3GATMA1 — N-канальный MOSFET 200 В, 15,2 А, рассеиваемая мощность 62,5 Вт, корпус PG-TSDSON-8.
- BSZ900N20NS3GATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение сток-исток 200 В, корпус DFN8 3х3 мм
- 2SK3486-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 10 А, Rds(on) 33 мОм при Vgs=4 В
- 2SK3487-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 2,5 В (логический уровень)
- 2SK3491-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 4 В (логический уровень)
- 2SK3491-TL-E — N-канальный силовой MOSFET, 600 В, 1 А, сопротивление канала 8,5 Ом, корпус TO-251, вывод…
- 2SK3492-TL-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 8 А, корпус TO-FA (2 вывода + теплоотвод)
- 2SK3495-AZ — МОП-транзистор onsemi 2SK3495, одиночный N-канальный силовой транзистор
- 2SK4207 — МОП-транзистор (MOSFET) 2SK4207, N-канал
- 8205A — МОП-транзистор (MOSFET, сдвоенный) 8205A, Tech Public, N-канал