Infineon IRFH5053TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRFH5053TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 000334 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, заряд затвора 24 нКл, корпус PQFN 5×6 мм
Infineon IRFH5053TRPBF — это мощный N-канальный полевой транзистор типа HEXFET, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток до 100 В. Сопротивление открытого канала составляет всего 18 мОм, что минимизирует потери на проводимость и улучшает энергоэффективность. Заряд затвора 24 нКл обеспечивает быстрое переключение и низкое энергопотребление при коммутации. Корпус PQFN размером 5x6 мм оптимален для поверхностного монтажа и позволяет эффективно отводить тепло.
В реальных условиях эксплуатации данный транзистор демонстрирует низкий уровень нагрева благодаря низкому сопротивлению канала. При правильной тепловой разводке печатной платы и использовании радиатора температура кристалла остаётся в допустимых пределах. Со временем параметры транзистора могут незначительно изменяться из-за старения полупроводникового материала, однако качество производства Infineon обеспечивает высокую стабильность характеристик.
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 9.3 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 18 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Время спада | 9.9 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1 mm |
| Входная ёмкость | 1.51 nF |
| Дата выпуска | 2008-12-16 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5.9944 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2025-03-31 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2025-09-30 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 3.7 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 18 mΩ |
| Количество в упаковке | 4000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Rds(on) макс. | 18 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 14.6 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 3.7 V |
| Время задержки выключения | 18 ns |
| Время задержки включения | 12 ns |
| Ширина | 5 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 22 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SIHF640S — МОП-транзистор (MOSFET) SIHF640S, Inchange Semiconductor, N-канал
- SIHF640S-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- SISS5623DN-T1-GE3
- SPD02N50C3 — N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус DPAK
- SPD02N50C3BTMA1 — N-канальный силовой транзистор Infineon SPD02N50C3 CoolMOS, 560 В, сопротивление 3 Ом, ко…
- SPD02N50C3XT — N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус TO-252
- STB100NF04 — N-канальный силовой MOSFET STB100NF04, напряжение 40 В, ток 100 А, мощность 150 Вт, сопро…
- STB100NF04-VB — N-канальный силовой MOSFET STB100NF04 VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, мощность 150 Вт…
- STB100NF04T4 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STB100NF04 StripFET II, 40 В, сопротивление…
- STD12N60DM6 — MOSFET STMicroelectronics, N-канал, 600 В, 10 А, корпус TO-252, RoHS
- STE53NC50 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STE53NC50 PowerMESH II, 500 В, сопротивлени…
- STF20N95K5 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STF20N95 MDmesh K5, 950 В, сопротивление 0.…