onsemi FDY3000NZ — купить, цена, наличие
| Наименование: | onsemi FDY3000NZ |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004924 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный сдвоенный PowerTrench, 20 В, ток 0,6 А, сопротивление канала 700 мОм
onsemi FDY3000NZ — сдвоенный N-канальный полевой транзистор MOSFET серии PowerTrench. Характеристики: рабочее напряжение до 20 В, максимальный ток каждой секции составляет 0,6 А, сопротивление открытого канала равно 700 мОм. Компонент предназначен для работы в цепях с низкими напряжениями и умеренными токами.
В эксплуатации транзистор демонстрирует умеренный нагрев при работе с номинальными токами. Из-за низкого сопротивления канала тепловыделение невелико, что позволяет использовать его в компактных решениях без дополнительного охлаждения. Со временем параметры транзистора могут незначительно изменяться из-за естественного старения полупроводникового перехода, однако качественные сдвоенные транзисторы PowerTrench от onsemi демонстрируют высокую устойчивость к деградации и сохраняют работоспособность в течение длительного срока службы.
| Корпус | SC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 600 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Сопротивление сток-исток | 700 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V |
| Двухполярное напряжение питания | 20 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Время спада | 8 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Высота | 700 µm |
| Входная ёмкость | 60 pF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 1.6 mm |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Статус жизненного цикла производителя | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago) |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 625 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 20 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1 V |
| Количество каналов | 2 |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 6 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 446 mW |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 700 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 700 MΩ |
| Время нарастания | 8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | 1 V |
| Время задержки выключения | 8 ns |
| Время задержки включения | 6 ns |
| Масса | 32 mg |
| Ширина | 1.2 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- FDY3000NZ-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, ток 200 мА, корпус SC75-6
- IRF540S-VB — N-канальный MOSFET (trench) IRF540S VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление кан…
- IRF540SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 77 мОм, корпус D2PAK-3
- IRF540STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 77 мОм, корпус D2PAK-3
- IRF540ZL — N-канальный MOSFET Inchange Semiconductor IRF540ZL, 100 В, Rds(on) 21 мОм, ток 36 А, корп…
- IRF540ZLPBF — N-канальный MOSFET Infineon IRF540ZL, 100 В, Rds(on) 21 мОм, ток 36 А, корпус TO-262, 92…
- IRF540ZP — N-канальный силовой MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление кана…
- IRF540ZPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, 36 А, сопротивление канала 21 мОм, корпус TO-220AB
- IRF540ZPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление кана…
- IRF540ZS — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 36 А, мощность 92 Вт, корпус D2PAK
- IRF540ZSTRPBF — N-канальный MOSFET IRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление канала 18 мО…
- IRF6201PBF — Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, л…