onsemi FQA32N20C — купить, цена, наличие

MPN FQA32N20C · onsemi
Наименование:onsemi FQA32N20C
Производитель:onsemi
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:001430
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 121.28 ₽ Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте

Транзистор MOSFET N-канальный QFET, 200 В, ток 32 А, сопротивление канала 82 мОм, корпус TO-3P

N-канальный полевой транзистор FQA32N20C производства компании onsemi выполнен по технологии QFET и предназначен для работы в цепях с высоким напряжением до 200 В. Сопротивление открытого канала составляет 82 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери мощности. Корпус TO-3P обеспечивает эффективное охлаждение и подходит для монтажа на радиаторы.

При использовании данного транзистора распространённой ошибкой является недооценка необходимости эффективного теплоотвода. Недостаточный отвод тепла может привести к перегреву и выходу из строя транзистора, особенно при работе с высокими токами нагрузки (до 32 А). Это, в свою очередь, может вызвать сбой или повреждение всей схемы.

China RoHSНе соответствует
Постоянный ток стока (ID)32 A
Номинальный ток32 A
Напряжение пробоя сток-исток200 V
Сопротивление сток-исток82 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)200 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада210 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)30 V
Высота18.9 mm
Входная ёмкость2.22 nF
Дата выпуска2004-03-22
Без свинцаБез свинца
Длина15.8 mm
Статус жизненного циклаСнимается с производства
Дата последней закупки (LTB)2022-12-30
Дата последней поставки (LTD)2023-06-30
Статус жизненного цикла производителяLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность204 W
Мин. напряжение пробоя200 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Число элементов1
Число выводов3
Рассеиваемая мощность204 W
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.82 mΩ
REACH SVHCНет
Время нарастания270 ns
RoHSСоответствует
Пороговое напряжение4 V
Время задержки выключения245 ns
Время задержки включения25 ns
Номинальное напряжение (DC)200 V
Масса6.401 g
Ширина5 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать
Технический чертежСкачать (1 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»