CSD16401Q5 — купить, цена, наличие
| Наименование: | CSD16401Q5 |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011514 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-CLIP.
CSD16401Q5 — это N-канальный силовой полевой транзистор серии NexFET производства Texas Instruments, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток до 25 В. Сопротивление канала в открытом состоянии составляет всего 2,3 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери мощности при высоких токах. Корпус 8-VSON-CLIP имеет компактные размеры 5×6 мм, что удобно для поверхностного монтажа и позволяет экономить место на плате.
Отличительной особенностью этого MOSFET является сочетание низкого сопротивления канала и высокой допустимой мощности рассеивания, что делает его предпочтительным выбором для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и автомобильных систем управления. Выбор именно этого типа обусловлен необходимостью работы с высокими токами нагрузки при умеренных напряжениях. В отличие от IGBT и других силовых полупроводниковых приборов, он обладает более высоким быстродействием и эффективностью при переключении.
| Корпус | QFN |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 100 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Двухполярное напряжение питания | 25 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 12.7 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Высота | 1.05 mm |
| Входная ёмкость | 4.1 nF |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1.5 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 1.6 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 30 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Толщина | 1 mm |
| Пороговое напряжение | 1.5 V |
| Время задержки выключения | 20 ns |
| Время задержки включения | 16.6 ns |
| Ширина | 6 mm |
| Документ | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (4 стр.) | |
| Official datasheet | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (2 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- CSD16401Q5-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 м…
- CSD16401Q5(ES) — МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5, N-канал
- CSD16401Q5T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- IRF3205SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF3205STRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF3205STRLPBFG — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205S, N-канал, корпус TO-263, RoHS (л…
- IRF3205STRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус D2PAK
- IRF3205STRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 100 А, сопротивление канала 6 мОм, корпус TO-263
- IRF3205STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF4905PBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -55 В, сопротивление канала 0,02 Ом, ток -74 А, мощность 2…