CSD16401Q5-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | CSD16401Q5-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011512 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 мОм при 10 В, корпус QFN8 5х6 мм
Силовой N-канальный MOSFET транзистор CSD16401Q5 производства компании VBsemi предназначен для работы в цепях постоянного тока с напряжением до 30 В. При напряжении затвора 10 В сопротивление открытого канала составляет всего 1.8 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери на нагрев. Корпус QFN8 размером 5х6 мм обеспечивает компактное размещение элемента на плате и эффективную теплоотдачу. Максимальная сила тока составляет 160 А, что позволяет использовать транзистор в мощных электронных устройствах.
В силу своих характеристик данный транзистор находит применение в импульсных источниках питания, инверторах напряжения, зарядных устройствах и системах управления электродвигателями. В источниках питания он выполняет функции ключевого элемента в преобразовательных каскадах, обеспечивая высокий КПД и малые потери энергии. В инверторах и системах управления двигателями транзистор используется для быстрого переключения больших токов с минимальными потерями на нагрев.
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- CSD16401Q5 — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD16401Q5(ES) — МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5, N-канал
- CSD16401Q5T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- IRL520NSTRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK
- IRL520NSTRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK-3
- IRL640S — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 200 В, ток 17 А, корпус D2PAK, Vishay
- IRL640S-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRL640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3, Vishay
- IRL640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRL640STRLPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRL640STRLPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IRLML0030TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, 5,3 А, сопротивление канала 27 мОм, корпус SOT-23