CSD16401Q5T — купить, цена, наличие
| Наименование: | CSD16401Q5T |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011513 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-CLIP.
Это N-канальный силовой MOSFET серии NexFET производства Texas Instruments, рассчитанный на напряжение до 25 В и характеризующийся низким сопротивлением канала в открытом состоянии — всего 2,3 мОм. Компонент выполнен в компактном корпусе SON размером 5х6 мм (8-VSON-CLIP), что позволяет эффективно использовать его в ограниченных пространствах и повысить плотность монтажа.
При проектировании схемы важно помнить о необходимости правильной разводки печатной платы и применения теплоотвода из-за низкого допустимого теплового сопротивления перехода кристалл-корпус. Неправильный выбор радиатора или недостаточный отвод тепла может привести к перегреву транзистора и выходу его из строя, особенно при работе с высокими токами нагрузки.
| Сопротивление сток-исток | 2.3 mΩ |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Высота | 1.05 mm |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Число выводов | 8 |
| RoHS | Соответствует |
| Толщина | 1 mm |
| Ширина | 6 mm |
| Документ | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (4 стр.) | |
| Official datasheet | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (2 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (7 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (2 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- CSD16401Q5 — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD16401Q5-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 м…
- CSD16401Q5(ES) — МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5, N-канал
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- IRLZ44NSTRRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44NSTRRPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IXFN110N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
- IXFN132N50P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT…
- IXFN140N30P — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, сопротивление канала 24 мОм, мощность 700 Вт, корпу…
- IXFN180N25T — Транзистор MOSFET N-канальный, 250 В, сопротивление канала 12,9 мОм, корпус SOT-227B
- IXFN20N120P — Транзистор MOSFET N-канальный, 1200 В, ток 20 А, мощность 595 Вт, корпус SOT-227B
- IXFN210N20P — Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, к…
- IXFN210N30P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B