onsemi FDV301N — купить, цена, наличие
| Наименование: | onsemi FDV301N |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 000392 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 25 В, ток 220 мА, мощность 0,35 Вт, сопротивление канала 4 Ом, корпус SOT-23
N-канальный MOSFET транзистор FDV301N производства компании onsemi характеризуется следующими параметрами: рабочее напряжение до 25 В, максимальный ток стока 220 мА, рассеиваемая мощность 0,35 Вт, сопротивление открытого канала 4 Ом. Компонент выполнен в корпусе SOT-23, что делает его компактным и удобным для поверхностного монтажа.
При подборе аналога или замене данного транзистора необходимо учитывать соответствие по напряжению сток-исток, току стока и мощности рассеяния. Кроме того, важным является сопоставление сопротивления открытого канала и совместимость корпуса с посадочным местом на плате. Важно также убедиться, что выбранный аналог имеет аналогичные характеристики по времени переключения и температурному диапазону работы.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 220 mA |
| Ток | 2 A |
| Номинальный ток | 220 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Сопротивление сток-исток | 5 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Двухполярное напряжение питания | 25 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 6 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 8 V |
| Высота | 1.11 mm |
| Входная ёмкость | 9.5 pF |
| Дата выпуска | 1997-07-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.92 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 350 mW |
| Идентификатор корпуса производителя | SOT−23 (TO−236) CASE 318−08 ISSUE AR |
| Мин. напряжение пробоя | 25 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 850 mV |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 350 mW |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 4 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 4 Ω |
| Время нарастания | 6 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Время задержки выключения | 3.5 ns |
| Время задержки включения | 3.2 ns |
| Напряжение | 50 V |
| Номинальное напряжение (DC) | 25 V |
| Ширина | 3.05 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IPW60R041P6FKSA1 — Транзистор MOSFET N-канальный CoolMOS P6, 600 В, ток 77,5 А, корпус TO-247-3
- IRF3205S — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF3205STRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF3205STRLPBFG — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205S, N-канал, корпус TO-263, RoHS (л…
- IRF3205STRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус D2PAK
- IRF3205STRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 100 А, сопротивление канала 6 мОм, корпус TO-263
- IRF3205STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF4905PBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -55 В, сопротивление канала 0,02 Ом, ток -74 А, мощность 2…
- IRF540 — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540, 100 В, ток 22 А, корпус TO-220
- IRF540A — N-канальный силовой MOSFET onsemi IRF540A, 100 В, ток 28 А, корпус TO-220AB