onsemi FDV301N — купить, цена, наличие

MPN FDV301N · onsemi
Наименование:onsemi FDV301N
Производитель:onsemi
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:000392
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 1.29 ₽ Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте

Транзистор MOSFET N-канальный, 25 В, ток 220 мА, мощность 0,35 Вт, сопротивление канала 4 Ом, корпус SOT-23

N-канальный MOSFET транзистор FDV301N производства компании onsemi характеризуется следующими параметрами: рабочее напряжение до 25 В, максимальный ток стока 220 мА, рассеиваемая мощность 0,35 Вт, сопротивление открытого канала 4 Ом. Компонент выполнен в корпусе SOT-23, что делает его компактным и удобным для поверхностного монтажа.

При подборе аналога или замене данного транзистора необходимо учитывать соответствие по напряжению сток-исток, току стока и мощности рассеяния. Кроме того, важным является сопоставление сопротивления открытого канала и совместимость корпуса с посадочным местом на плате. Важно также убедиться, что выбранный аналог имеет аналогичные характеристики по времени переключения и температурному диапазону работы.

КорпусSOT-23
China RoHSСоответствует
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток стока (ID)220 mA
Ток2 A
Номинальный ток220 mA
Напряжение пробоя сток-исток25 V
Сопротивление сток-исток5 Ω
Напряжение сток-исток (Vdss)25 V
Двухполярное напряжение питания25 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада6 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)8 V
Высота1.11 mm
Входная ёмкость9.5 pF
Дата выпуска1997-07-01
Без свинцаБез свинца
Длина2.92 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Статус жизненного цикла производителяАктивен
Максимальная температура перехода150 °C
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность350 mW
Идентификатор корпуса производителяSOT−23 (TO−236) CASE 318−08 ISSUE AR
Мин. напряжение пробоя25 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Номинальное Vgs850 mV
Количество каналов1
Число элементов1
Число выводов3
УпаковкаОтрезок ленты
Рассеиваемая мощность350 mW
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.4 Ω
REACH SVHCДа
Сопротивление4 Ω
Время нарастания6 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541210080
Тип выводаSMD/SMT
Время задержки выключения3.5 ns
Время задержки включения3.2 ns
Напряжение50 V
Номинальное напряжение (DC)25 V
Ширина3.05 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (5 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Технический чертежСкачать (1 стр.)
Информационный листСкачать
Информационный листСкачать (7 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»